TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）指出，NAND Flash 市场经历 2018 年全年供过于求，2019 年在笔记型电脑、智能手机、服务器等主要需求表现难见起色下，预计产能过剩难解，因而使得供应商进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。
根据 DRAMeXchange 调查指出，2018 年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出，NAND Flash 总体资本支出下调近 10%，但仍无法翻转供需失衡情形，2019 年转为美系厂商减少资本支出，使得 NAND Flash 整体资本支出较 2018 年持续下滑约 2%，总支出规模约为 220 亿美元。
受到供应商调整扩产计划影响，尽管各供应商已于 2018 年第四季起量产 92 / 96 层 3D NAND，但直至 2019 年底将仅占约 32% 位元产出，而 64 / 72 层的产出占比仍有逾 50%，供应商放缓制程的推进，造成 2019 年 NAND Flash 位元成长将仅约 38%，相比 2018 年逾 45% 水准明显下降。
观察各供应商产能调整，DRAMeXchange 指出，三星持续减产 2D NAND 产能，加上 92 层制程消耗更多的厂房空间，2019 年运转产能将较2018年底下调，位元产出成长率降至约 35%，由于三星全球市占率约三成，三星位元产出成长率的放缓对全球产出成长影响较大；SK 海力士、东芝／威腾分别有 M15 以及 Fab 6 的新厂扩建，但同样受到减产计划或转产旧制程的影响，产出年成长率有机会低于原先预期，SK 海力士和东芝／威腾原先位元产出成长率预估值分别约为 50% 与 40% 水准，但我们预期会各自下修到 50% 以下，以及约 35% 的水位，以反映今年市场需求的急冻；美光的新加坡新厂则要等到 2020 年才正式量产，因此全年产能几乎维持不变；英特尔则除了填满大连厂产能，并无宣布其他扩产规划，美光与英特尔阵营 2019 年整体位元产出成长接近 40% 水准，相较 2018 年 45% 以上的成长幅度明显收敛。
从 2019 年 NAND Flash 价格走势来看，DRAMeXchange 指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅，皆明显高于我们原先的预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019 年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的 10%，一举提高至 20% 水准，第二季报价可能将续跌将近 15%，下半年虽有旺季需求挹注，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在 10% 左右水准，端看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。综上所述，DRAMeXchange 认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash 市场均价跌幅则可能扩大至 50% 水准，近乎腰斩。
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