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英特尔中国大连第 2 期 NAND Flash 工厂投产,将生产 96 层堆叠产品

2024-11-27 223

处理器大厂英特尔(Intel)在 2015 年宣布,其总投资 55 亿美元的中国大连的 Fab 68 晶圆厂第 2 期工程改造为 NAND Flash 闪存工厂之后,现在宣布已经正式投产。未来,主要将生产 96 层堆叠的 3D NAND Flash 闪存,积极追赶竞争对手的市占率。

根据统计,在全球 NAND Flash 闪存市场上,韩国三星的市占率高达到 37%,东芝、威腾电子则分别有 20%、15% 左右的市占率。再来才是美光、SK Hynix,英特尔是全球 6 大厂商中市占率最少的,不足 10%,这也导致英特尔过去在 NAND Flash 闪存,以及 SSD 硬盘市场上主打企业级市场,消费等级 SSD 市场就放置在重点之外,造成影响力远不如三星、东芝、美光等竞争对手。而会有这样情况的原因,就在于英特尔没有自己独立的 NAND Flash 闪存产能。

而为了填补此空缺,2015 年英特尔宣布,将在中国大连 的Fab 68 工厂建设第 2 期工程,用于生产非易失性内存,也就是 NAND Flash 闪存,总投资高达 55 亿美元。如今,经过 3 年的建设,Fab 68 工厂的第 2 期工厂正式投产,主要将生产 96 层 3D NAND 闪存,这也意味着英特尔未来的3 D NAND 闪存产能将会大增。

据了解,英特尔 2006 年与中国大连市政府达成合作协定,2007 年起在大连投资 25 亿美元,建设 12 英寸晶圆厂,主要负责处理器封装测试,2010 年大连晶圆厂正式落成。至于,现在宣布量产的中国大连 Fab 68 第 2 期工厂,未来将成为英特尔最重要的 NAND 闪存生产基地。预计,英特尔的 70% 3D NAND 闪存将产自这里。至于,与美光共同合作的 3D XPoint 闪存,则在英特尔与美光宣布两家公司分道扬镳之后,英特尔正在把研发基地移师到新墨西哥州的工厂,预计会增加当地 100 多个工作岗位。

目前,英特尔与美光的 3D XPoint 闪存主要是在美国犹他州的工厂生产。双方在正式分道扬镳之前,将会继续努力合作完成第 2 代 3D XPoint 技术开发,最终将会在 2019 年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会各奔前程,各自开发基于 3D XPoint 技术的第 3 代产品。

(首图来源:Flickr/Jiahui Huang CC BY 2.0)

2019-03-13 23:30:00

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