虽然，目前处理器大厂英特尔（intel）的主力制程为 14 奈米，不过日前公布以 10 奈米制程，Cannonlake 架构生产的 Core i3-8121 处理器已经上市，而且还搭载在联想 Ideapad 330 的笔记型电脑上。因此，既然有了产品，就有媒体开始以此来研究英特尔 10 奈米制程的状况。根据目前实测的结果，英特尔的 10 奈米制程中，晶体管密度达到了 100MTr/mm² ，是 14 奈米制程的 2.7 倍。而且，在处理器中，英特尔首次使用了贵金属钌，增加起导电特性。
根据外国科技媒体《Techinsights》在日前以联想 Ideapad 330 中的 Core i3-8121 处理器进行的测试分析，虽然详细报告还没有发布，但就先公布的几项数据来看，英特尔的 10 奈米制程逻辑晶体管密度达到了 100.8MTr/mm²，也就是每平方毫米 1 亿个晶体管，晶体管密度是 14 奈米制程的 2.7 倍多的水准。
另外，10 奈米 FinFET 制程使用的是第 3 代 FinFET 晶体管制程技术，其最小栅极距（gate pitch）从之前的 70 奈米，缩小到了 54 奈米。而最小金属间距（metal pitch）也从之前的 52 奈米，缩小到了 36 奈米。以这样的技术层级下，与现有 10 奈米制程，以及即将问世的 7 奈米制程相比，英特尔 10 奈米制程具有最好的间距缩小技术。另外，因为英特尔的 10 奈米制程在后端制程的 BEOL 中，首次联合使用金属铜及贵金属钌，使得其导电性能提升。而且在 contact 及 BEOL 端也使用了自对齐曝光方案（self-aligned patterning scheme）。
关于英特尔的10 奈米制程优势，英特尔首席执行官科再奇日前表示，英特尔的 10 奈米制程为什么难产的一大原因，就是他们对 10 奈米制程指标定的太高了。例如 10 奈米制程在 100MTr/ mm² 的晶体管密度上，实际上跟台积电、三星的 7 奈米制程差不多，这是较竞争对手优秀之处，但是因为碰上了良率的问题时，会让英特尔的 10 奈米制程发展屡屡难产，也让最后量产时间要比台积电与三星两家竞争对手落后两年多。
（首图来源：Flickr/Pascal Volk CC BY 2.0）
