DRAMeXchange 指出,2018 年第一季内存三大厂商三星、SK 海力士、美光在 DRAM 产业的市占率分别为 44.9%、27.9%、22.6%,显示出 DRAM 明显已是寡占格局。而据了解,中国反垄断法最终目的在维护市场的公平竞争,任何具有市场支配地位的经营者,不得滥用该市场优势来操弄价格。另一方面,由于 DRAM 生产周期长达 8 周以上,从投入资本支出后,到新增产能、颗粒产出更长达至少一年,DRAM 厂商最容易在反垄断条文中“限制商品中销售数量”被调查。
中国为最大内存需求国,紧盯内存价格涨势
此外,中国市场对于全球 DRAM 和 NAND 的消化量已经高达 20% 与 25%,为内存最大需求国。尽管中国各地正积极进行半导体扶植计划,但要达到“技术自主研发”与“稳定量产规模”两项目标仍需要至少数季以上的时间,对解决成本压力的燃眉之急是远水救不了近火。除了此次美光被约谈之外,今年初内存龙头厂商三星半导体也被中国的国家发展和改革委员会约谈,虽然目前没有事证指出这两者事件有关连性。但足以显示中国官方对于 DRAM 价格高涨的重视。
DRAMeXchange 研判,由于中国占全球的内存的消耗量非常可观,且厂商对于中国市场普遍采取高度尊重的态度,因此相关事件无疑将造成后续内存价格上涨受到压抑。以 DRAMeXchange 最新资料指出,三大 DRAM 厂商今年首季营业利益率(OP Margin)首季已达 50-70% 的水位,不仅是历史最高,该产品的获利能力甚至超过技术层级更高的中央处理器(Application Processor),此现象史上未见。而 DRAM 厂为改善供货吃紧状况,近两年持续增加资本支出,然在制程持续微缩困难的状态下,各厂唯有透过扩产才能有效增加供给,预估 DRAM 新产能开出态势将于 2019 年更为明显。