近年来，DRAM 供货吃紧，价格居高不下，在去年底，就传出中国国家发展和改革委员会就曾约谈三星，关注储存芯片价格问题。
在近日，又有双方签署 MOU 的消息，市场预期将可能抑制 DRAM 价格。集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，内存价格涨势延续超过 6 季上扬，造成许多中国手机厂不堪成本压力，因而引来政府关注，将可能使今年第一季的 DRAM 价格受到抑制。而目前三星是全球最大的内存芯片厂商，有近 48% 的全球市占率。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，中国的内存市场不管是内需或外销，都已越来越重要，目前供货商在生产行动式内存的获利已远低于其他类别产品，而第一季智能手机需求也很低迷，预期未来价格涨幅将受抑制。且为应对中国方面对于内存价格持续上涨所表达的强烈不满，对供货商而言，成本下降不易的考虑下，扩张产能的可能性将大增。
MOU 无关价格
不过来自于《集微网》的消息指出，曾向政府举报高通垄断的手机中国联盟秘书长王艳辉表示，近期发改委与三星签署的 MOU 无关价格问题，是高技术局与三星之间有关半导体领域的相关技术合作，及扩大在中国投资等议题，而非价监局的手笔。的确价监局曾经就 DRAM 涨价一事约谈过三星，但现在尚不能确定会对三星采取何种措施，如果三星被确认参与价格操纵，那发改委同样很可能会进行处罚。
目前市场分析认为，今年新增的 DRAM 产能，还无法跟上市场需求，尤其是物联网和高速运算应用，都需要高速内存芯片支持，无论是 DRAM 或 NAND Flash 今年在供货松绑且需求不减的情况下，可望进一步推升出货量，预计相关业者营收还是相当稳健。。
台湾工研院产业趋势中心也认为，今年虚拟货币挖矿业者也加入扫货，服务器需求仍然强劲下，预估今年全球 DRAM 产值会再成长 23%，虽然涨幅不如去年，但主要供应商增产仍有节制，预计平均销售单价仍会上扬近 32%，年产值达 900 亿美元，将续创新高。
不过 DRAMeXchange 也指出，由于三星、东芝、英特尔、长江存储等都大力扩展 NAND Flash 所以未来产能效应将转趋明显，尤其 3D-NAND Flash 产能将可能翻倍，恐怕在 2019 年就会出现供过于求的状况。
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（首图来源：shutterstock）
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