根据《路透社》报导，经过过去一年半价格飙涨，NAND Flash 闪存在日前龙头厂韩国三星的 2017 年第 4 季财务预测不如市场预期之后，引发相关市场投资者恐慌，担心 2018 年闪存价格恐有崩跌危机。
报导指出，近期闪存的价格开始松动，尤其智能手机的高阶闪存，2017 年第 4 季价格已下跌 5%。某些市场分析师预估，闪存市场 2018 年的成长率相较 2017 年将会腰斩到只剩下 30% 成长。这种说法，三星股价上周整体下跌了 7.5%，另一家闪存大厂 SK 海力士股价也同样下跌了 6.2%。
不过，也有分析师持不同看法。认为闪存供应商自 1990 年代经过市场淘汰与整并，目前仅剩数家国际大厂，市场价格走向稳定。加上虽然市场需求较 2017 年衰退，但包括服务器等需求依然持续。虽说 2018 年闪存成长只有 2017 年一半，但 30% 的成长率仍相当可观。相对来说，2018 年是闪存稳定发展的一年，不会发生价格崩跌的危险。
报导也引述各家外资说法。野村证券认为，因 2017 年各家厂商的投资金额与扩产计划，使 2018 年闪存的产能将提高 43%，高于 2017 年的 34%，导致整体价格会下降约 10%。因威腾、东芝、美光这些厂合计掌握全球 40% 快产内存产能，为了赶上龙头三星而扩产，将会使供需吃紧的情况放缓，价格也因此松动。
法国巴黎银行指出，虽然品牌手机商在 2017 年面临闪存飙涨，不过，这些手机商透过增加内储存的方式让手机价格提高，进一步纾缓内存的涨价压力。这驱动力使 2017 年 DRAM 虽然价格涨势达 38%，却不敌闪存的 84% 成长率。这也促成各家闪存厂借由投资更先进的制造技术来维持毛利率及成本。这让龙头厂商三星半导体部门，占全集团营收由 26% 提升至 2017 年的 47%，预估 2018 年更将升至 55%。
这些也外资都表示，虽然 2017 年各家积极扩厂行动会延续到 2018 年，且整体投资金额将达 380 亿美元的情况下，有可能导致未来价格市场波动。再加上使用全球三分之一闪存产能的智能手机厂商，近期也在敦促内存厂产品价格调降，中国政府也在调查三星是否对闪存的价格有人为炒作，近期价格虽然有压力，却不会出现大幅崩落。要注意的是，未来如果客户持续要求降价，将很难预测有什么情况发生。
（首图来源：美光科技）
