针对平面媒体报导，由于中国政府已将全力发展内存产业列为产业目标。因此，在包括紫光集团、合肥长鑫及福建晋华都相继提出发展计划的情况之下，并且对外挖角行动再扩大。所以，为防止相关人员进一步被中国厂商挖角跳槽，DRAM 大厂美光（Mircon）日前开始积极反击中国厂商的挖角，就在上月配合检调动作，针对前华亚科及前瑞晶的关键制程研发人员跳槽至对岸，或协助中国厂进行 DRAM 研发进行大规模展开搜索，并限制相关人员出境，估计有上百人遭到约谈及搜索。
根据《经济日报》的报导，有消息人士指出，美光这波透过司法途径的反制，是针对从美光购并华亚科后的员工，以及前瑞晶员工展开搜索调查行动。预料应是已掌握相关人员窃取营业和技术资料，之后跳槽至中国公司，或是掌握协助中国厂商进行 DRAM 研发的证据，进而展开大规模搜索，并限制相关人员出境，估计有上百人遭到约谈及搜索。
其中，检调搜索的相关人员主要以前华亚科员工为主。据了解，在 2016 年美光提出购并华亚科的全数股权后，已经有近两百名华亚科的员工跳槽至中国合肥长鑫、紫光集团和福建晋华等公司。因为，上列的中国厂商为了发展 DRAM 技术，祭出比台湾高 2 至 3 倍的薪资，全力挖角，也造成台湾大量 DRAM 人才向中国靠拢。
据了解，目前三大 DRAM 厂，包括韩国三星、SK 海力士（SK Hynix）及美商美光等，近期不约而同陆续寄出存证信函给跳槽到中国合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员，全力防堵 DRAM 技术流入中国，让全力发展自主 DRAM 研发的中国在此领域上受挫。而这些动作也使得近期有意跳槽到中国厂商的的前华亚科核心技术人员，面临在机场就受到限制，无法出境的现象，遭受不小的恫吓。
市场人士透漏，三大 DRAM 厂全力防堵防止中国借挖角台湾人才以剽窃技术的做法，就是不乐见 DRAM 产业在三大厂寡占市场局面，未来会被中国的积极抢进而打破。因此，三大厂采取法律制约员工跳槽的行动，如果能有效遏止 DRAM 人才流向中国的现象，这也将使得当前已经供不应求的 DRAM 供货缺口更形过大，2018 年可能持续当前的涨价局面。
而就目前中国厂商的动作来说，中国半导体的两大体系，包括紫光和合肥长鑫是来台挖角最为积极的厂商，而且重点锁定前华亚科制程相关人才，其中，由合肥市政府主导的内存研发团队合肥长鑫，就已开出 3 倍高薪和紫光集团的双倍薪较劲。而且，传言前华亚科人资主管跳槽合肥长鑫，掌控人资大计，对前华亚科员工挖角就更是所不用其极，也成为近期对台湾 DRAM 产业挖角的大户。
只是，紫光集团已透过管理澄清，目前挖角前华亚科的员工多数是属于建厂相关事务人员，紫光集团决定朝自主研发 DRAM、储存型闪存（NAND Flash）等，目前重心先投入 3D NAND Flash 研发。不过，面对中国厂商高薪挖角的行动，让日前才正式并入美光的华亚科，以及台塑集团旗下的南亚科，将因如何留才而伤透脑筋。
目前，中国合肥长鑫和紫光都采取先发展 NAND Flash，后自主研发 DRAM 为辅的策略。其中，紫光集团仍以积极争取国外大厂技术授权为主要方针，以可确定制程技术与国际同步而确保获利。至于，合肥长鑫目标则希望先争取包括 NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM 等内存的自主技术，进而超越紫光，成为中国主导内存产业的厂商。另外，还有与联电合作，由前瑞晶总经理陈正坤带领的团队，投入协助福建晋华兴建利基型 DRAM 代工厂的计划来看，2017 年将会是中国需求 DRAM 人才积极一年。
由于，中陆冲刺半导体产业，企图建立内存和逻辑芯片自主技术为目标，使得全球主要三大 DRAM 厂全力防堵技术流向中国厂商外，挖角行动也伸向台湾厂商招手，这使得台湾厂商未来也不得不提高警觉。
（首图来源：科技新报摄）
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