TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）最新研究显示，2016 年第四季 NAND Flash 缺货达全年高峰，在终端需求出货畅旺、平均销售价格普遍上涨的情况下，即使前一季营收基期已高，第四季 NAND Flash 营收仍旧上涨 17.8%，同时各厂商的获利能力也达到全年的顶峰。
DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，观察 2017 年第一季，供给方面因转进 3D NAND Flash 制程造成供货减少，使得各项合约价格持续上扬，但在终端需求方面较 2016 年第四季减少，预期 NAND Flash 品牌厂营收仍将持续成长，增幅稍微趋缓，而以全年度 NAND Flash 供应预期都将吃紧的情况来看，2017 年 NAND Flash 厂商的营收仍可望逐季增加。
三星电子
受惠于高容量 eMMC 与 UFS 需求和固态硬盘表现强劲，去年第四季三星 NAND Flash 位元出货量季成长 11~15%外，平均销售单价也成长逾 5%，NAND Flash 营收季成长近 20%。
三星在高容量 eMMC / UFS 及固态硬盘上市占率领先，因此受惠价格上涨的程度更为显著，而 48 层堆叠的 3D NAND Flash 已顺利导入全系列固态硬盘产品线。
三星 Line16 厂持续转进 3D NAND Flash，Line17 与平泽厂的新产能贡献将从第二季后将开始提升，因此预估 2017 第一季位元出货量将季衰退 4~9%，位元成长需待至第二季后才会显著提高。
SK 海力士
SK 海力士降低固态硬盘端供货比重以因应中国品牌智能手机 eMCP 需求，去年第四季位元出货量微幅下滑 3%，但平均销售单价则扬升 14%，营收季成长 9% 至 11.56 亿美元。
2017 年第一季 SK 海力士面临转进 3D NAND Flash 及第一季智能手机出货减少等因素，预估位元出货量将季衰退约 0~5%，但在 NAND Flash 依旧吃紧的态势下，平均销售单价仍可望续扬。
在 3D NAND Flash 的进度上，第一季 SK 海力士 3D NAND Flash 位元出货占比为 10%，预期在 48 层堆叠与下半年将推出的 72 层堆叠 3D NAND Flash 带动下，年底前 3D NAND Flash 的产出比重将超越 50%。
东芝电子
东芝电子 64 层堆叠的 3D-NAND Flash 产品相关对应的产品下半年将放量生产，现阶段在良率尚未显著提升之际，48 层堆叠的 3D-NAND Flash 成为上半年营运的重点，而目前东芝 3D NAND Flash 的产出比重较低，但年底维持超过产出的 50% 计划不变。
威腾电子
在位元出货量与平均销售单价均上涨的情况下，威腾电子 2017 会计年度第二季的 NAND Flash 营收大幅季成长约 20%。全系列固态硬盘产品线表现强劲，显现在合并晟碟的综效已开始显现。
从产品面看，威腾电子的 64 层堆叠 3D NAND Flash 已经在自家 Retail 产品开始出货，OEM 产品的认证过程也会在本季开始进行，预计整体 3D NAND Flash 的产出比重在 2017 年底前将超过 50%。
美光
受惠于整体 NAND Flash 市况供货吃紧与需求强劲，美光 2017 会计年度第一季位元出货量大幅季成长 26%，NAND Flash 营收也大幅季成长 27%，至 12.72 亿美元。在营收的产品分配上，因行动装置与车用电子需求增加， 零组件颗粒销售比重降至 40%，行动装置需求上升至 23%，固态硬盘也微幅增加至 15%，车用与其他工控类则是上升至 20%。
产品规划方面，美光 3D NAND Flash 的产出比重已超越 50%，是除三星外唯一产出比重超过 50% 的厂商，同时，美光下个世代的 64 层堆叠 3D NAND Flash 也预计在今年下半量产，原有的 2D NAND Flash 产品占比将下滑至 10% 左右，仅满足原有利基型的应用。
英特尔
受惠于企业级固态硬盘的强劲需求，让英特尔 2016 年第四季位元出货量季成长 25% 以上，整体 NAND Flash 营收也季成长 25%，至 8.16 亿美元。
产品规划方面，英特尔 20 奈米与 25 奈米旧制程的产品减少，16 奈米与 3D NAND Flash（MLC 架构）的企业级固态硬盘销售比重则逐步放大，有助让价格更具竞争力，也有助成本下降与利润增加，另外，3D NAND Flash（TLC 架构）的产品也开始放量生产。
（首图来源：shutterstock）
