近年来，中国政府为了达成在 2018 年芯片自给率的要求，正全面扶植中国半导体厂商。使得以紫光为代表的中国半导体企业，正在斥资数百亿美元的资金，投入 NAND、DRAM 等内存产业的发展，期望在不久的将来能推出中国国产的 3D NAND 闪存。只是，在 NAND 内存的领域中，中国企业的发展已经晚了二十多年，对既有的台韩美等厂商起不了憾动作用。因此，就将希望放在新一代内存技术上。日前，中芯国际（SMIC）日前正式出样 40 奈米制程的 ReRAM （非易失性阻变式存储器）内存，就是一个明显的例子。
在内存领域中，NAND 快闪记忆是目前的绝对主流。因为在未来的 3 到 5 年间，相关电子产品的储存应用都还离不开闪存的情况下，闪存的市场依旧会保持成长。即便如此，相关研究人员却早已针对下一代内存进行布局。其 ReRAM 就是其中的代表。
这种比 NAND 闪存速度快 1,000 倍的新型内存，虽然名字中带 RAM。不过，ReRAM 其实更像 NAND 闪存那样用做数据储存来使用。只不过它的性能更强，具有密度比 DRAM 高 40 倍、读取速度快 100 倍、写入速度快 1,000 倍、耐久度高 1,000 倍的特点。使得 ReRAM 单芯片（约 200 平方毫米左右）即可达到 TB 级容量的储存；而且，还具备结构简单、易于制造等优点。
而说到 ReRAM 的发展，就不得不提到 Crossbar 公司。根据该公司资料，Crossbar 是最先研发出 ReRAM 技术的公司。2016 年 Crossbar 总计获得了 8,000 万美元的投资，其中也有中国企业参与。而 Crossbar 于 2016 年 3 月份也宣布进军中国市场，他们的合作伙伴就是中芯国际。因此，进一步采用中芯国际的 40 奈米的 CMOS 来试产 ReRAM 芯片。
根据 Crossbar 副总裁 Sylvain Dubois 表示，2016 年开始，中芯国际已经开始给客户出样 40 奈米制程的 ReRAM 芯片，达成了该公司之前所说，2016 年内推出 ReRAM 的承诺。而未来，28 奈米制程的 ReRAM 芯片也将会在 2017 年上半年推出。只不过，Sylvain Dubois 并没有松口表示，未来 28 奈米制程的 ReRAM 芯片是否还是由中芯国际生产，或是有可能交给其他代工厂来生产。
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