内存的 3D NAND Flash 大战即将开打！目前 3D NAND 由三星电子独家量产，但是先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出 3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点。
TechRadar、ComputerWorld 报导，美光 9 日宣布开发出该公司第一款 3D NAND 芯片，采 48 层堆叠，容量为 32GB。这款 3D NAND 将用于中高阶智能手机，支援全新的储存标准 UFS2.1。
美光宣称，新品效能比前代提升 40%，尺寸更是业界最小，美光的 3D NAND 晶粒（die）比相同效能的平面 NAND 晶粒，体积缩小 30%。新品已送样给行动装置厂，预定今年底广泛出货。
美光行动业务部门发言人 Dan Bingham 说，该公司第二代 3D NAND 将为 64 层，研发时程尚未公布。为了支援虚拟实境和串流影片需求，行动装置的内存容量不断增加，美光预估，2020 年智能手机的内建内存或许会有 1TB，和电脑差不多。
霸荣（Barronˋs）9 日刊出 Pacific Crest 报告，内容预测 3D NAND 时代将要到来。报告称，英特尔、美光、SK 海力士（SK Hynix）、东芝、Western Digital 的 3D NAND 应该很快就会上市。估计第三、四季 3D NAND 产品将会大增。英特尔和美光的产品已经差不多就绪，东芝和 SK 海力士则可能在 Q4 出货。
Pacific Crest 认为，3D NAND 战役中，美光情势有利。该公司的 3D NAND 尽管层数较少，但是密度高，而且美光无可损失。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：美光）
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