三星电子的 3D NAND Flash 霸主宝座出现危机？三星是第一家开发出 3D NAND Flash 业者，技术遥遥领先，不过据传日厂东芝（Toshiba）砸重金研发后，情势一夕骤变，东芝即将超车三星，成为首家生产 64 层 3D NAND Flash 的厂商。
BusinessKorea 20 日报导，2013 年三星电子率先制造 3D NAND，东芝直到今年春天才加入生产行列，不过却以光速追上对手，计划今年第三季生产全球首见的 64 层 3D NAND Flash，比三星快了一季。
64 层 3D NAND Flash 极为重要，业界认为 64 层 3D NAND Flash 的出现，代表平面 NAND Flash 时代划上句点。3D NAND Flash 采垂直堆叠，可提高内存容量和速度，表现优于平面 NAND Flash。
尽管东芝来势汹汹，半导体专家指出，东芝和三星仍有技术差距，两家公司最大不同在于控制闸（control gate）技术，三星采用 TANOS、东芝使用 SONOS。据称东芝的技术便于多层堆叠，但是缺点在于制程较为复杂、生产力较低。
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