随着 SSD 逐步取代硬盘，Nand Flash 需求正快速成长，而在制程微缩、物理极限下，3D Nand Flash 的发展也日渐受到重视，三星、SK 海力士、英特尔/美光等大厂，无不重金投入大举增产，日厂东芝（Toshiba）也没有缺席，今 15 日东芝偕美国硬盘大厂威腾（Western Digital）为日本三重县四日市新设的半导体二厂（Fab 2）举行开幕仪式。
东芝今 15 日携手威腾于日本三重县四日市举行半导体新厂 Fab 2 开幕仪式，同时也宣告东芝实现 3D Nand Flash 产能的扩张！东芝官方指出，在看好 Nand Flash 在智能手机、SSD 与其它应用领域的成长，新厂房将运用于 2D Nand Flah 到 3D Nand Flah 制程的转换。工厂也使用大数据分析，透过每天 16 亿笔资料的处理确保 3D Nand Flah 的品质与良率。
新落成的半导体二厂 Fab 2，邻近原先东芝四日市厂区，厂房于 2014 年 2 月动工，已于今年 3 月启动试产，据科技新报取得的消息，目前正式量产后，到今年第四季 3D Nand Flash 产能估计将拉升到每月 4 万片。该厂房当初由东芝与 SanDisk 共同投资兴建，而今 SanDisk 为威腾所收购，威腾也打算加大对 3D Nand Flash 的投资。
在开幕同时，两者宣布至 2018 年前将投入超过 8,600 亿日圆（约 2,610 亿新台币）在 Nand Flash 的投资与产能布建。而东芝在今年 3 月当时宣布加码投入与 SanDisk 合作开发的 3D NAND Flash 内存“BiCS FLASH”产能的投入金额约 3,600 亿日圆。如今看来规模提升不少。
值得关注的是，小米董事长雷军也现身 15 日东芝新厂开幕典礼会场，14 日韩媒 BusinessKorea、韩国时报也报导，传出雷军近日将密会三星内存部门主管，雷军是为加大对内存的采购，或为藉拜会几家内存大厂取得更好的议价空间同样颇耐人寻味。
调研机构 IHS 日前发布 2016 年第一季整体 Nand Flash 销售报告，三星在 Nand Flash 销售额达到 26.15 亿美元（约 840 亿新台币）市占拉升至 42.1%，维持产业市占第一，东芝市占则约 28% 居于第二，美光、SK 海力士市占分别为 18.8%、10.6% 分居第三、第四。
东芝官方新闻稿：Toshiba and Western Digital Celebrate the Opening of New Fab 2 Semiconductor Fabrication Facility in Yokkaichi, Japan
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