三星日前推出一款 UFS 外接记忆卡，具备最低容量 32GB 到 256GB 的版本，同时号称序列读取速度接近 SATA 界面的 SSD，并且比目前市面上的 micro-SD 读速快上约 5 倍。三星甚至宣称这款产品的随机写入比 micro-SD 快上 350 倍。
UFS 是一种针对相机、手机等装置的快闪储存记忆卡界面标准，整体读写效率在理论值比 eMMCs 与 SD 卡更快。由于价格稍高，一般来说只有旗舰机种会搭载 UFS 界面的记忆卡，例如三星自家的 Galaxy S7 以及 LG G5 便搭载 UFS 2.1 NAND（iPhone 6s 则用上 NVMe，不过实测速度与 UFS 2.1 没有明显差别） 。
三星这次的外接记忆卡使用的是 UFS 1.0 的延伸标准，属于 UFS 2.0 的分支。效能方面，序列读速为 530MB/s，序列写入则是 170MB/s，大约是市面上顶级 micro-SD 卡的 3 到 5 倍。值得注意的是它的随机读取与写入效能，前者比目前的 micro-SD 卡快上 20 倍，后者更是有 350 倍的差距──至于它们的 IOPS 则分别为 40,000 与 35,000。
在实际运用上三星表示，用户可以在 10 秒内读取完一个 5GB 的档案， 而这通常是一部 FHD 电影的大小。相比之下，micro-SD 卡则需要 50 秒以上。UFS 外接记忆卡甚至可以比许多行动装置的闪存（多为 eMMc）更快，然而唯一的问题或许是，目前市面上还没有任何消费性装置搭载能外接 UFS 记忆卡的连接阜。
三星认为，这项产品的目的是要取代现行主流的 SD 卡以及 eMMCs 卡，进而切入无人机、相机、机器人、行动产品或是 VR 头戴装置等领域。三星同时也没有提及售价与上市资讯。
- Samsung’s blazing-fast UFS storage could replace micro-SD cards one day
（首图来源：Samsung）
