中国扩张半导体产业，被视为重点项目的内存可能再出现新局，统筹中国内存产业发展的武汉新芯将与紫光集团携手合作，且现在不只获飞索半导体（Spansion）在 3D NAND Flash 的技术授权，还可能得到大腕美光（Micron）的协助。
双方各有强项，整合出内存中国国家队
科技新报取得消息，中国武汉新芯将与紫光集团将联手，共同发展内存。武汉新芯已经有两万片的 12 吋厂规模，加上新厂已经开始动工，适合作为生产的基地，节省紫光从头开始的时间，也间接克服紫光也没有半导体制造人才团队的问题。 紫光集团旗下的紫光国芯，去年八月取得中国唯一的 DRAM IC 设计公司西安华芯控股权。加上紫光集团的资金募集、活动力惊人，也有华亚科前董事长高启全助力。 紫光与武汉新芯的整合，不仅在生产团队、既有半导体厂基础、IC 设计团队、民间资金、国家基金都产生更大的实力。也加大了跟技术授权来源美光的谈判优势。
▲Nand Flash 市占率图（Source：DRAMeXchange）
将华亚科模式套用在 NAND Flash 上
更进一步地，传闻中国方已与内存大厂美光（Micron）洽谈技术合作事宜，武汉新芯与紫光获有机会取得美光在 NAND Flash 的技术授权。由中国提供资金建厂，美光授权技术，以华亚科模式进行生产 NAND Flash！ 所谓的华亚科模式，就是美光提供生产技术，合作方股东出大量资金建厂。美光可以在不出钱的情况下，取得技术授权金与分享产能的回馈。
DRAM 还是 Flash？
以美光而言，选择技术授权 Nand Flash 而非 DRAM 会是合理的方案。
一、美光也会想维持 DRAM 寡占格局，以及市场无需大量新产能 DRAM 长期以来供过于求的市况近期终于转佳，各家大厂在寡占格局下，试图维持平衡不贸然扩产，为免重启流血价格战。
二、NAND Flash需求仍快速增长，有扩产需要 在 SSD 需求高涨下，NAND Flash、尤其是下一世代主流 3D NAND Flash 尚处快速长步阶段。市场未来仍然需要新产能与更多的产出。包含三星、东芝、SK 海力士都在扩充 3D NAND Flash 的产量。透过技术授权，除了能取得一定的授权金，美光也能取得更多的产能维持自家的市占率与研发基础。
▲SSD 在 PC 渗透图（Source：Nomura Securities）
三、美光技术、资金实力皆须借助外力 美光的 NAND Flash、DRAM 技术、产能，事实上现在在内存产业都属于落后班。虽然以最近他的约当现金来看有 46 亿美金之多，但是后面一年的营运预估约当现金会降到 30 亿美金的水位。距离他的历史低位不远，也没有额外的能力扩厂。
▲NAND Flash 厂营业利润率（Source：Nomura）
尤其在三星、Toshiba、SK Hynix 都在积极转进 3D NAND Flash，也在扩产时。美光的落后状态对于未来相当不利。这时有愿意提供无风险华亚科模式的 Flash 厂，就犹如天上掉下来的礼物了。 武汉新芯为中国政府选定统筹国家整体内存产业发展的根据地，日前位于武汉东湖高新区的厂区正式动土，其所规划产能到 2030 年高达 100 万片，一开始就锁定 3D NAND Flash，目标追上与内存大厂之间的距离，然目前武汉新芯仅取得飞索半导体（Spansion）的技术授权，据悉，Spansion 实验室产品堆叠尚在 8 层、10 层左右，估计 2017 年量产 32 层堆叠产品，然目前堆叠技术已来到 48 层，以目前技术要能追上各家大厂实有一定难度。倘若获美光的技术支援，或有一线转机。
高层人士将异动
由于两个集团在 NAND Flash 上的合作，资金庞大、团队人数高，并且有高难度的涉外谈判。因此领导体系，必需有明确的指挥。因此也传出紫光集团董事长赵伟国、大基金总经理丁文武可能扮演重要角色，而新芯董事长杨士宁等可能有异动。不过因为背后的政治系统复杂，仍有许多变数。
对台湾、内存产业的影响
紫光加武汉新芯的内存国家队在与美光的谈判中，NAND Flash 会是首先的要角。至于后续的 DRAM，或是入股美光的可能性也都触及。不过由于美国也正在进入史上最敏感的总统大选，未来政治走向如何？ 产业、美光也都战战兢兢的在观望。存在的变数甚多。 如果第一步仅是 NAND Flash 对中国的技术授权、生产，那麽对华亚科、南科的冲击将不大。不过由于后续在晶圆厂量产时，台湾有经验的工程师能提供的助益甚大。因为高阶半导体人才的流失问题值得产业以及政府重视。
（首图来源：紫光官网）
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