根据韩国《朝鲜日报》的报导指出，虽然 2018 年下半年开始，内存的价格开始走跌，也预告 2019 年内存产业会呈现不景气的状态。但是，相关业者认为，为以高附加价值产品来应对当前的状况，其中研发（R&D）方面的投资将是不可或缺的关键。
报导指出，三星电子在 2018 年对 R&D 的投入达到 18.66 兆韩圜，这和 2017 年的 16.81 兆韩圜相比，增加了 11%。而且，其不论金额或成长幅度，都是继 2017 年后再创历史新高。至于，另一家内存大厂 SK 海力士也是相似的状况，2018 年的 R&D 投资达到 2.89 兆韩圜，与 2017 年的金额相比，也增加 16%以上，同样创下历史新高纪录。
事实上，韩国业界人士表示，在启动 5G 服务之后，未来将需要处理的资讯量大增，也能使得促进机器效能提高的半导体需求也将会增加。因此，即便当前市场较之前有所萎缩，但也是强化 R&D、积累技术的时机。
报导进一步指出，内存价格惨跌的情况至今仍没有缓解的迹象。以三星与 SK 海力士的主要产品 DRAM 颗粒现货价格来说，DDR4 8G (1G*8) 的产品已经从 2018 年 3 月份的 9.1 美元，跌到 2019 年 2 月份的 4.56 美元，跌幅将近一半，而 NAND Flash 闪存的价格，在相同期间内也下跌 30%。
而对于内存价格的走跌，三星与 SK 海力士不仅认为研发新产品重要，而且两公司为使内存产业复苏，也大幅增加工厂建设、设备投资。2018 年三星仅在半导体部门就投资 23.72 兆韩圜，和前一年的 27.34 兆韩圜相较，仅减少了 13%。但与 2016 年的 13.15 兆韩圜相比，增加了 10 兆韩圜左右。
目前三星正在韩国京畿道平泽市建设半导体第 2 工厂，还在中国西安建设半导体工厂。韩国市场人士解读，观察三星内存的状况，三星认为相较增加短期能提高产量的设备投资情况，不如从长期角度出发来建设工厂。另外，SK 海力士 2018 年也投资 17.75 兆韩圜，占了总营收的 44%，相较前一年 10.64 兆韩圜的金额来说，也增加了 67%。
SK 海力士在 2018 年 10 月，于韩国的忠清北道清州市的 M15工厂竣工，12 月时则是位于京畿道利川市的新 DRAM 生产线 M16 开工。SK 海力士认为，以人工智能、虚拟实境为代表的第 4 次产业革命正式开启后，内存供给量就会增加，因此得维持一定规模以上的内存投资，未来才有能力应对。
（首图来源：三星官网）
