三星在 2016 年 2 月，针对高阶行动装置推出 256 GB(byte) UFS 2.0 NAND Flash 内存模组，容量、速度速度比美 PC，而苹果 iPhone 7 先前外传容量将达到 256GB，与最新 UFS2.0 芯片容量不谋而合，iPhone 7 将采用三星 UFS2.0 的传闻不胫而走，然知名科技网站 BGR 近期揭露，三星是准备重回苹果 NAND Flash 供应链，但恐怕是明年的事。
知名科技网站 BGR 19 日指出，继苹果 iPhone 5 之后，三星再度与苹果签定储存芯片供应协议，但报导指出，iPhone 可能到明年 2017 才会用上三星的 UFS 芯片，而三星已在目前自家旗舰机种 galaxy S7 用上 UFS 2.0 模组，
UFS 全名 Universal Flash Storage 为新的应用界面标准，兼具 SSD 速度与 eMMC 低功耗优势，目前就三星、SK 海力士两家量产、东芝试产，三星今年 2 月发布的三星 UFS 2.0 模组，容量上看 256GB，据官方资料，最高读取速度每秒 850MB，优于 SATA 界面的 PC 用 SSD、 写入速度每秒 260MB 号称为 microSD 卡 3 倍以上速度。
BGR 报导引述韩媒 ETNEWS 三星正与合作伙伴一同研发 NAND Flash 电磁波屏蔽（EMI shielding）封装技术，BGR 据此研判，三星对苹果 NAND Flash 的供应可能要到 2017 年，今年 iPhone 7 将不会配备三星 NAND Flash 模组。
据悉，苹果先前 NAND Flash 订单由 SK 海力士、东芝与 SanDisk 三家瓜分，东芝与 SanDisk 在 2015 年 5 月共同发表 48 层 256Gb(bits) 3D NAND Flash，同样被视为苹果 iPhone 7 供应链厂商大热门。
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