根据国外媒体报导，由于内存价格在 2015 年跌价幅度过大，因此韩国内存大厂三星电子将不再用低价抢市的策略，三星可能大砍 2016 年资本支出 40 亿美元，约较 2015 年减少 31％ ，这代表 DRAM 及 NAND Flash 市场供给过剩情况有机会获得改善，价格将逐渐回稳。对于这样的消息，竞争对手海力士股价开盘后随即上涨 1% ，而台湾 DRAM 厂南亚科、华邦也相对于大盘抗跌。
2015 年中才与竞争对手 SK 海力士宣布将扩大投资 DRAM 产业的三星，因为受不了内存价格持续下探的影响，传出将于 3 月底的法说会中宣布，2016 年投入内存的资本支出将减少 40 亿美元的支出，年减幅度将超过三成的比例。法人表示，若这样的消息成真，将有助于 DRAM 及 NAND Flash 价格回稳。其中，DRAM 市场在价格上有机会出现较大的反弹幅度，这对于国内 DRAM 厂，包括南亚科、华邦电而言将是直接的受惠者。
外电报导，分析师推估 2016 年全球内存资本支出将较 2015 年减少4%，约达 502 亿美元。其中，减幅最大的就是三星，预估 2016 年投入内存事业的资本支出将较 2015 年减少 40 亿美元的金额，年减幅度高达 31%。由于三星的 DRAM 产能有 70% 转换至 20 奈米制程后，DRAM 的资本支出将较 2015 年减少 26 亿美元，而三星的西安 NAND Flash 厂开始量产后，NAND Flash 资本支出也会下修 10 亿美元左右。三星这样的计划，预估韩国另一内存大厂 SK 海力士应该也会跟进。
业界表示，因为 DRAM 价格 2015 年大幅下滑，已经压缩到整体内存厂的获利能力。由于，三星集团在手机事业应收衰退之后，未来发展策略将着重获利能力。因此，在内存事业部分，透过减少资本支出将是很有可能的作法。而且，透过这一降低资本支出的做法，稳定全球 DRAM 及 NAND Flash 的供给量，将可有效让价格出现回稳情况。
另外，美国内存大厂美光也因为受到 2015 年内存价格下跌的影响，第 2 季营收也由盈转亏，亏损 9,700 万美元，每股净损 0.09 美元，毛利率仅有 19.7% 。预期，若三星降低资本支出已回稳内存价格的计划奏效，美光也将会是其中的重要受惠者。
(首图来源:Flickr/Jamie McCall CC BY 2.0)
