韩国三星电子（Samsung）在中国西安半导体工厂扩厂计划几乎确定喊停，可能原因是担心东芝、SanDisk 与英特尔等对手竞相增产，三星此时若加码投资，恐导致市场供给过剩更为严重。
三星西安半导体厂主要生产 3D 架构的 NAND 型闪存（Flash Memory），于 2014 年开始投产，韩国媒体 Business korea 引述知情人士消息报导指出，该工厂第二阶段扩厂工程已延后至 2016 年某个时间或更晚。
由于三星西安半导体厂目前使用面积仅占预定地的五分之一，加上现有产能早已超出满载，因此产业观察家曾预期三星今年将如期执行扩厂工程，若非市况严重恶化，否则三星应不会拖延。西安厂目前每月产出 10 万片晶圆，远远超出原先设定 6-7 万片的规模。
报导指出，东芝与合作伙伴 SanDisk 大规模增产 NAND 闪存，是让三星投资紧急喊卡的主因，理由是东芝为三星在 NAND 闪存市场上最大竞争对手，量产结构也最稳定。
在此同时，美光与英特尔共同开发的新 3D NAND 闪存技术也积极准备进入量产，三星也担心两者可能会抢走中国资料中心的生意。
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