日本总和情报网站 Gadget 速报 30 日转述韩国科技媒体 ETNews 的报导指出，三星电子预估将在明年 Q1（2016 年 1-3 月）开始量产 1x-nano（18nm）DRAM 产品，且预估最迟也会在 Q2 量产。报导指出，三星开始量产 18nm DRAM 之后，有望借此降低制造成本、提高获利，而三星竞争对手韩国 SK Hynix 和美国美光（Micron）也预估将跟随三星脚步于 2016 年内量产 1x nm 等级的 DRAM 产品，也宣布 DRAM 将进入“1x nm”大战。
报导并指出，目前 DRAM 价格持续下滑，且此种情势在明年也将持续上演，根据市场研究机构 TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 指出，2015 年 11 月 4GB DDR3 DRAM 合约价为 1.27 美元，较今年 1 月时的价格相比骤减了 49.1%。
据报导，三星在 2014 年抢得头香，领先同业率先量产 20nm DRAM 产品，而在 1X nm 领域上，三星也有望拔得头筹。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/James BoweCC BY 2.0）
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