谁说 14 奈米的闪存不可行？韩国两家内存厂前仆后继挑战这项不可能的任务有成，其中三星已经准备好转入量产，而 SK 海力士预计 2016 年也将突破瓶颈。
韩国媒体 ETnews 引述业内消息报导指出，三星预计 2016 年上半年开始量产 14 奈米 NAND 闪存，且 1 月底在旧金山举行的国际固态电路论坛（ISSCC）上就有成品可先行展出。
与 16 奈米相比，14 奈米浮动闸极（floating gate）面积减少 12.5%，这意谓著每片晶圆的内存芯片产出将增加，而平均生产成本则降低，使得产品更具价格竞争力。除了三星之外，海力士从年初时也下决心着手开发 14 奈米技术，研发工作预估将在明年上半年完成，年末应可顺利进入量产。
闪存是将电子包入浮动闸极，藉以此永久储存资讯。业界原认为 15~16 奈米是内存维缩极限的原因在于，浮动闸极面积会随维缩制程缩小，面积太小则将导致电子储存空间不足。不过，三星似乎已想到方法克服这项障碍。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/Kevin Krejci CC BY 2.0）
