2015 年受到需求面不振、持续供过于求的影响，DRAM 价格呈现显著衰退，尤其以标准型内存最为明显。TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 调查显示，在寡占市场型态下，虽然小幅供过于求且价格持续下滑，各供应商生产仍保持纪律，未有明显新增产能，因此延续 2013 年与 2014 年态势，今年 DRAM 各厂仍维持全面获利。
DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示，2016 年虽然受惠于来自智能手机及服务器的需求影响，单机搭载容量会有显著提升，各项终端产品仍难有爆发性的发展。DRAMeXchange 预估 2016 年整体 DRAM 需求约为 23%，供给位元成长约为 25%。市场仍维持小幅供过于求，DRAM 单价持续下滑，各家获利能力将大幅取决于制程转进所造成的成本下降以及产品组合的调配。
2016 年 DRAM 产业趋势分析如下：
年度位元产出来自 20 奈米制程转进，晶圆投片量大约持平
吴雅婷表示，DRAM 属寡占市场型态，各供应商在产能的扩张上皆有所节制，相较仍处于完全竞争的市场型态的 NAND Flash 健康许多。2016 年的位元产出主要是来自于 SK 海力士与美光半导体 20 / 21 奈米的转进，晶圆产能上，除三星的 Line17 可能再微幅上升、SK 海力士的新厂 M14 会陆续启用之外，2016 年 DRAM 总投片量与 2015 年呈现持平。
DDR4 正式取代 DDR3 成为市场主流
随着市场需求转变以及 20 奈米逐渐成熟，DDR4 的生产比例越来越高。2015 年由于 Intel 平台支援度的问题，DDR4 的导入主要发生在服务器端，并且已经率先在第四季取代 DDR3 成为主流。DRAMeXchange 预估，个人电脑 / 笔记型电脑端由新平台 Skylake 开始采用 DDR4，将会在 2016 年第二季起放量，成为主流解决方案。
行动式内存与服务器内存生产比重持续提升
智能手机受惠于 20nm 制程产出的 LPDDR4 普及度越来越高，高阶旗舰机种（除 Apple 以外）以 3GB / 4GB 为标准规格。吴雅婷指出，2016 年第二季起就会有单机 DRAM 搭载容量上达 6GB 的机种问市，大幅增加行动式内存的需求动能。服务器内存亦然，受惠于 20nm 制程产出的 DDR4 普及度升高，在高容量 32GB / 64GB 模组成本降低，促使厂商策略性调降价格以刺激需求，有助于服务器内存生产比重提升。
中国进军 DRAM 意图仍在，但进入门槛高，难有进展
2016 年中国持续发展半导体的策略不变，仍将有许多购并发生，内存方面更是中国发展的重点项目之一。吴雅婷进一步表示，与 NAND Flash 较为混乱的市场态势相较，DRAM 市场三强鼎立的状态结构稳固，引进新的竞争者恐怕导致更严重的供过于求，因此三强与中国合作可能性低，使得中国欲进军 DRAM 产业的困难度远高过其他半导体产品类别。
