全球晶圆专工大厂联电 22 日宣布，与全球 IP 硅智财授权厂商 ARM 合作，基于联电 14 奈米鳍式场效晶体管（FinFET）制程生产的 PQV 测试芯片已经设计定案（tape out），代表 ARM Cortex-A 系列处理器核心通过联电高阶晶圆制程验证，此 14 奈米合作案延续自双方成功将 ARM Artisan 实体 IP 整合至联电 28 奈米高介电金属闸极（High K / Metal gate）量产制程。联电指出，14 奈米 FinFET 制程已展现卓越的 128mb SRAM 产品良率，并预计于 2015 年底接受客户设计定案。
联电表示，14 奈米 FinFET 制程技术验证，是公司 FinFET 制程启动其他 IP 生态系统的第一步，包括基础 IP 硅智财（foundation IP）和 ARM 处理器实体设计。负责硅智财开发与设计支援的联电副总经理王国雍表示，在公司准备向客户提供 14 奈米 FinFET 制程之际，建立强大的设计支援基础以强化 14 奈米平台的整体效益是至关重要；ARM 是先进制程的 IP 硅智财全球供应商，而双方透过这次合作已将 Artisan 实体 IP 以及 Cortex 处理器解决方案纳入旗下 14 奈米制程。
ARM 实体 IP 设计事业部总经理 Will Abbey 表示，ARM 和联电已在数个技术世代上持续合作，且成果卓越，随着采用联电 14 奈米 FinFET 制程的 Cortex-A 系列核心测试芯片正式设计定案，未来双方亦将针对此高阶制程技术的研发持续保持紧密合作。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：联电）
延伸阅读：
- 联电今年力拼 28 奈米产能扩增，14 奈米拟 Q2 试产
