跟随三星电子（Samsung Electronics）脚步，SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）等 NAND Flash 大厂都将在今年底量产 3D NAND，估计 3D NAND 有望在今年下半年起飞，明年全面蓬勃发展。
韩媒 etnews 28 日报导，SK 海力士将在今年第三季开始量产 36 层的 3D NAND 芯片，之后还将研发第三代（48 层）3D NAND 芯片。该公司也会积极进军采用 NAND Flash 技术的固态硬盘（SSD），计划在第三季量产，目标今年底前 3D TLC NAND SSD 销售，占总体 SSD 销售的 20~30%。
三星是首家量产第二代（32 层）“三层式储存（TLC）3D NAND”芯片业者，由于堆叠层数越多，能省下更多固定开支，且不需额外投资微缩制程，利润更加丰厚，各家业者因此积极研发更多层数的 3D NAND。
NAND Flash 二哥东芝（Toshiba）和 SanDisk 合作护盘，东芝和韩厂不同，采用多层式储存（MLC）技术，预计明年在日本四日市工厂，量产 48 层的 3D NAND 芯片。与此同时，美光则和英特尔（Intel）携手，拟于今年底生产 32 层的 MLC NAND 芯片与 TLC NAND 芯片。
业界专家认为，3D NAND 明年将大幅成长，因为 3D NAND 在今年下半进入量产，需要 3D NAND 的高容量产品需求也快速成长，如 SSD、行动 NAND 等。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/General Physics Laboratory (GPL) CC BY 2.0）
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