中国发展半导体产业，从武岳峰等资本公司联合收购 ISSI，到面板厂京东方宣告进入 DRAM 市场，抢进 DRAM 市场的意图愈发明显，然而，挟着重金，外界担心中国 DRAM 厂将使现在渐趋平衡的生态再起波澜，中国进入市场对于台厂又会造成什么样的威胁，研究机构 Bernstein Research 从几个面向分析，认为中国若朝主流 DRAM 发展胜算并不大。
中国内存产业布局仍未明朗
中国国家积体电路产业投资基金宣告投入 1,200 亿人民币（约合 6,080 亿新台币），今年 3 月中国武岳峰资本等公司资本联合买下 ISSI （Integrated Silicon Solution），宣告中国半导体布局伸向 DRAM 产业，ISSI 主要发展利基型 DRAM 与 SRAM，外界预估对主流内存市场的影响并不大。
4 月初再传中国面板厂京东方也意图进入内存市场，中国芯谋研究（ICwise ）首席半导体分析师顾文军发文指称，京东方决定涉足内存市场的新闻为子虚乌有，但也未把话说死，顾同篇发言也引述京东方董事长王东升先前强调会关注并且涉足半导体的发言。至少在短期之间，京东方进军 DRAM 产业仍未明朗。
据悉，中国半导体扶植政策下，将选择一个省市设置本土的 DRAM 厂，上海、北京、合肥等五个省市争取之中，谁能胜出、策略为何也还未有定数。
比较确定的是，武汉新芯集成电路（XMC） 今年 2 月宣布与美国 NOR 闪存领导厂商 Spansion 合作研发 3D NAND 技术，第一个产品预计于 2017 年问世。目前 3D NAND 技术除了三星已正式量产，其他大厂仍处送样阶段或预计下半年小规模量产。技术仍属起步阶段，制作成本仍高，武汉新芯与 Spansion 发展 3D NAND 技术，还得视能否兼顾成本以及每个内存的电性表现。
钜额投资不一定取得了市占
内存产业为典型资本密集与技术密集产业。先从资本谈起，光土地、厂房不含设备，可能就得耗掉 150~200 亿台币，研究机构 Bernstein 预估，若要取得 DRAM 或 NAND Flash 其中一个市场的一席之地，至少需 15% 左右的市占，以 2014 年第四季产能来估算，一个月产出得达 20 万片（资本支出大约在 200 亿美元，约 6,260 亿新台币左右）。
追逐市占的过程中，若产能一个月增加到 20 万片的幅度，市场将出现超额供给，对于初期生产成本较高的新进者而言，价格会掉到成本以下，新进者即便前面 16~24 个月之间投入 200 亿美元以上的资本支出，十年内仍会落后产业先进者一个世代以上。Bernstein 预估，新进者投入 DRAM 产业，将得承受前面十年 400 亿美元（约 1.3 兆新台币）的亏损，投入 NAND 产业前面十年也要有面临 350 亿美元（约 1.1 兆新台币）损失的心理准备。
▲ Bernstein 预估 DRAM 产业新进者，前十年将得面对 400 亿美元以上的亏损。
即便付出了大把银两，也无法保证在这产业胜券在握，台湾就是一个血淋淋的例子。
1990 年代～2010 年台湾投入了超过 500 亿美元（约 1.6 兆新台币）发展内存产业，就为了取得一定的市占，在 2004～2006 年产业一片荣景之下，更是大举扩充产能，然 2007 年产能开始过剩，DRAM 价格暴跌，2008 年金融海啸后，情况更为严峻，台厂踌躇是否投资之际，2010 年三星资本支出翻倍至 18 兆韩圜（约 5,578 亿新台币），倾力发展 DRAM 技术，血洗了当时产业，缺乏自有技术、不堪亏损台厂后来也败下阵来。
2001～2010 年十年之间，DRAM 市场拥有 80 亿美元的获利，倘若排除三星所赚的 170 亿美元，整个 DRAM 市场亏了 90 亿美元，排除韩厂，整个产业亏损更是将近 130 亿美元。在这期间德国大厂奇梦达破产倒闭，台湾力晶与茂德严重亏损面临重整，南亚科也转进利基型芯片，市场份额不复以往，台厂中较具规模的只剩美光入股的华亚科。
尔后，台厂制程技术始终落后三星等 DRAM 领导厂商一个世代，成本也因此居高不下，最终茂德与力晶也退出 DRAM 市场，前者转型 IC 设计，后者转入晶圆代工市场。
庞大技术壁垒待克服
挺得住金钱的损失，背后还有庞大的技术壁垒需克服，内存产业复杂性高，在 DRAM 产业即便是成立已久的华亚科与南亚科，发展先进制程仍需美光的技术授权。
而美光在 NAND 产业成了后进之辈（进入时间 2004 年），与 SK 海力士（进入时间 2003 年），即便在 NAND 业务的利润毫不逊色，但在十余年之后，技术仍落后于东芝 SanDisk 与三星等领导者。
三星、SanDisk、东芝等先进者纷纷转进较具成本优势的 TLC（3bit MLC），调研机构 DRAMeXchange 预估 2015 年 TLC 产出比重将逐渐攀升，第四季甚至接近整体 NAND Flash 产出，然从下图表一可看出，2014 年第四季产业后进的美光与 SK 海力士还未能发展出 TLC 技术，此外，三星与海力士每年仍需付出收益的 2~3% 做为技术授权费用给 SanDisk（图表二）。
▲图表一
▲图表二
内存产业技术日趋复杂，且单一技术发展已现瓶颈，如行动装置需求爆发下，有望取代 eMMC 成为 NAND Flash 的最大应用的 eMCP 技术，就得结合 DRAM。内存也日渐讲求解决方案，如何结合系统技术或软件商也变得比以往都来得重要。除了武汉新芯与 Spansion 的合作，武汉新芯与中芯国际也曾找过台湾 NOR 大厂旺宏寻求合作，但已遭拒，中国在内存产业上还未有更多合作伙伴现身。
Bernstein 认为，钜额资金与庞大技术壁垒，中国走向主流内存产业，发展高密度内存产品并非易事，相反地，在物联网装置蓬勃发展下，相关的低密度内存应用，可能是中国初进内存市场较可能的发展路径。
（首图来源：达志影像）
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