SK 海力士 20 日举行股东会，社长朴星昱（Park Sung-wook）宣誓，20 奈米级 DRAM 最快可能在今年 7 月迈入量产，将可在高阶产品赶上三星与美光等竞争者。
海力士目前最先进的制程为 25 与 29 奈米，而三星已在去年第四季抢先迈入 20 奈米制程领域，且预估今年下半年，半数 PC 用内存都会以 20 奈米制程打造。
据科技网站 kitguru.net 报导，20 奈米制程在 300mm 晶圆上塞进的晶粒数量较 25 奈米多三成，可降低每单位 IC 生产成本，并提高利润空间。随着 8GB DDR4 内存时代来临，20 奈米制程被认为是内存厂决胜的关键。
除了三星之外，美光去年第四季也已开始试生产 20 奈米内存，预计今年进入量产，但初期产量将相当有限，预估 2015 年底，每月会有 8 万片晶圆转进 20 奈米制程。
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