经济部工业局 31 日指出，有关联电申请赴厦门参股投资联芯 12 吋晶圆厂一案，基于协助国内半导体业者运用中国官方政策优惠、及早卡位，争取中国庞大商机，并在没有技术外流疑虑、在国内有相对投资并增聘员工之前提下，经过投资审议委员会会同有关机关于 31 日完成审查后，同意联电公司赴中国投资。
搭上补贴优惠列车
联电表示，本次参股投资案主要考量中国半导体内需快速成长之市场，以及当地-对于半导体产业的补贴赋税优惠与采购规范限制等条件，故宣布参股投资 12 吋晶圆制造厂；中国具有广大的半导体市场，且当地芯片需求正快速成长，公司此次赴中国参股投资晶圆制造厂系为争取中国内需市场，以争取商机、提前卡位。
此外，联电也指出，此次赴中国参股投资可取得当地-相关政策优惠，目前半导体为中国重点发展产业，当地企业从事晶圆制造可申请研发补助及租税减免，另中国-规定银行 IC 卡需采用当地制造之芯片，而联电为争取 IC 智能卡之广大市场及享有优惠措施，故须透过参股投资联芯以取得参与中国-标案之资格及优惠。
最先进技术并未引进中国
联芯公司注册资本额为 20.7 亿美元，其中联电预计 5 年内将出资 13.5 亿美元，未来联芯主要营收将来自 40/55 奈米制程技术，联电将依规定向联芯收取技术合作权利金；另国内主要竞争对手三星已赴中国投资最先进技术（12 吋厂 1X nm 制程），而联电目前所拥有最佳技术为 28 奈米，此次赴中国投资更仅属 40/55 奈米，故并无技术外流之疑虑，也符合“赴中国并购、参股投资之制程技术须落后该公司在台制程技术一个世代”之规定。
而联电也承诺，未来将继续在台加码投资，持续投资建置高阶制程产能，预计未来 3 年平均每年资本支出将投入逾 13 亿美元，超过此次赴中国投资总金额 13.5 亿美元；另并加强研发投入，于南科厂区研发中心开发 14 奈米与其他利基型产品，同时配合在南科持续扩产，未来 3 年新增 3,000 名就业机会，且将逐年增加半导体设备、材料本土采购金额之比例。
工业局指出，近年来因中国半导体市场快速成长，全球半导体产业朝中国移动之趋势明显，国际大厂如英特尔（Intel）、三星（Samsung）已陆续至中国投资晶圆制造厂，我国主要竞争对手皆已赴中国投资，相较于全球半导体之竞争，我国业者如能透过并购、投资参股等方式，掌握中国之订单及扩大业者掌控之产能，并利用其政策优惠取得全球半导体市场之有利地位，扩大市场占有率，将有利于我国厂商在全球及中国的布局。
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