新世代的 NVRAM 开发逐渐进入火热阶段。
继 Crossbar 在先前 IEDM 2014（IEEE International Electron Devices Meeting）发表了他们在电阻式内存（Resistive RAM, RRAM、ReRAM）的最新成果之后，Sony 也与合作伙伴 Micron 发表了自 2011 年首度公开 RRAM 试作品后的最新试作品结果。
在 RRAM 的合作关系中，Sony 与 Micron 各自扮演了重要角色；Sony 持有 RRAM 的技术，Micron 则是目前内存制造业的大厂。在今年的 ISSCC 2014 研讨会中，先是公布 16Gbit RRAM 的电路技术，紧接着在数日前的 IDEM 2014 中，发表装置本体的制作。在此之前两家厂商在次世代内存的发展是各有歧异的，Sony 在 2011 ISSCC 中发表了 4Mb 的 RRAM 试作品，而 Micron 则是钻研相变式内存（PCM、PRAM）并且将 128Mb PRAM 商业化，但自此之后就无提升容量的后续动作。
这次 Sony 与 Micron 合作的样品，方向上是以 “非挥发式 DRAM” 来制作，相比于待机时仍要继续耗电的挥发性 DRAM，由于非挥发性的特性可以将电力完全关闭，因此在越来越讲求能耗的的现在具有一定的吸引力。
实际上试做的产品也是朝向这样的方向前进，16Gb 样品有着单一颗芯片可以 2GB容量，适合电脑主内存的意味存在。成品的设计则是直接做成一般 DDR 界面的样子，可以直接替换 DDR SDRAM；制造技术的部分，使用 27nm CMOS 制程，三层金属配线、内存 Cell Size 大约在 6F^2（F 单位意指半导体的 Design Rule，通常指制程的金属线宽），种种的特性都与目前较先进的内存制造制程类似。另外目前 RRAM 并没有任何的量产纪录，因此能否直接已高容量密度的设计直接量产会是可能的障碍，而同样的制造成本能否与现在的 DRAM 匹敌，种种因素的拉扯或许也是初期样品选择 16Gb 的因素。
这次 Sony 与 Micron 发表的 Cell 设计，是以一个记忆单元搭配上一个身兼 Selector 的 MOS 组合，记忆单元的的组合结构，是以高位 CuTe 薄膜、绝缘薄膜与低位电极材料组合而成，是 Sony 早先开发结果的延续。
Sony 与 Micron 同时发表了实际测试的结果与 ISSCC 当时发表论文的性能预测比较，读取性能在 900MB/s 左右，写入则是 180MB/s ，与当初论文的设计预测结果相当接近，从这点看起来，继续发展而至商品化的可能性相当高。
- ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同开発
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