2014年是 DRAM 产业获利颇为丰收的一年。受惠于全球智能手机持续热销，一线 DRAM 大厂纷纷转进行动式内存，TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 预估 2014 年行动式内存将占整体 DRAM 产出的 36%，2015 年更有机会突破 40% 大关。
DRAMeXchange 研究协理郭祚荣表示，拜行动式内存需求畅旺所赐，标准型内存产出相对减少，反倒让模组价格始终维持在高价水位，2014 年 4GB 模组均价约 32 美元，标准型内存毛利率平均达 40% 以上。各 DRAM 厂朝向全面获利的状态，寡占市场格局与需求端的市场变化都将牵动2015 年 DRAM 产业未来发展。
2015 年 DRAM 产业五大市场趋势如下：
一、各 DRAM 厂皆以获利导向为优先
DRAM 产业转为寡占市场结构，仅存的三大 DRAM 厂皆以获利导向为优先，谨慎控制产出与产品类别的调整，加上全球智能手机持续维持高度成长，亦让产能转向行动式内存，挤压到标准型内存的产出，让标准型内存市场价格维持高价水位，俨然成为 DRAM 厂的金鸡母，因此在获利方面都交出亮眼的成绩单。DRAMeXchange 预估 2015 年的 DRAM 产值将达 541 亿美元，年成长为 16%，为市场稳定成长获利的一年。
二、韩厂扩厂视市场需求调整产能
三星与 SK 海力士不约而同在 2014 年宣布扩建新厂的消息，产能竞赛再起的传闻甚嚣尘上，但事实上，三星在扩建 Line17 的同时，Line16 DRAM 产能已悄悄缩减并归还给 NAND 事业部使用。而 SK 海力士 M14 预计在明年第四季才有少量投片，较大规模的投片将在 2016 年才会浮现。整体而言，由于市场的需求仍会持续成长，工厂只是为未来需求而兴建，只要投片产出是有计划性的，后续价格虽然会逐季下降，但只要制程转进持续进行，DRAM 厂获利仍能够保持在现有水位。
三、行动式内存跃升全球市场主流规格
2014 年智能手机走入平价化，不少高规低价机种在全球市场攻城掠地，让新兴市场掀起一股智能手机的换机潮。 郭祚荣表示，在智能手机市场不停扩大的同时，2015 年行动式内存市占也逼近全球市场的 40%，相较于标准型内存 27% 的占比，行动式内存已跃升全球 DRAM 市场主流产品。另一方面，从行动式内存做观察，2015 年主流规格仍是 LPDDR3，产出量达 60% 以上，而新规格 LPDDR4 将在明年首度应用在旗舰智能手机机种，无论省电机制与时脉更胜 LPDDR3，预计 2015 年市占率将达到 15%。
四、20nm 制程成 2015 年 DRAM 主战场
韩系 DRAM 厂 25nm 制程在 2014 年下半年已迈入成熟期，无论良率与投片规模都成为 DRAM 主流规格。至于 20nm 制程，三星已进入验证阶段，SK 海力士预计在明年第二季初进入市场；相较之下，美光目前规划只有华亚科才有 20nm 制程的标准型内存，转进进度较两大韩厂落后，目标 2015 年底达到 80K 投片量。由于进入 20nm 制程需要更多的设备来生产，意味着需要更多的资本支出，然而在获利导向下，各厂 20nm 制程的转进比重将会趋缓。
五、DDR4 有望成服务器市场内存主流
在英特尔强势主导与 DRAM 厂的全力配合下，DDR4 内存将在服务器领域率先切入。郭祚荣表示，服务器内存除了稳定性的要求外，近期更着墨于低电压与速度兼顾。根据 JEDEC 的规范，DDR4 电压值仅有 1.2V，未来速度更可高达 3200Mhz。而价格部分也正与服务器用 DDR3 逐步贴近，DRAMeXchange 预计 DDR4 最快于 2015 年底取代 DDR3，正式成为服务器市场内存主流。
首图来源：Samsung
