在看好行动装置的成长下，美光科技（Micron）预计将扩大行动装置使用的行动内存（Mobile DRAM）的产量，因此将再投资原属日本尔必达的工厂来扩增产能，这同时也是美光近三年来最大的一笔扩厂投资案。
根据日本经济新闻社的报导，此次美光投入的金额将高达一千亿日元，主要用于扩增 2014 年收购的原尔必达内存位于日本广岛工厂，透过此次的投资扩产，美光预计于 2015 年 8 月时将可将行动装置产能提高 20%。
在日本广岛预计采用新一代 20 奈米的制程来生产，与上一代 25 奈米制程相比，效率也将大幅提升，估计从单一晶圆上可获得的半导体芯片量将增加约 20%，透过此次的产能扩增，美光将借此赶上产能最大的韩国三星。
美光看好未来行动装置与服务器市场的成长，因此预计于本财年度也计划于全球投资 38 亿美元于相关的生产设备投资上，而且其中一半与 DRAM 有关。
- Micron planning big investment in Japan to ramp up DRAM output
