三星半导体于今天（10/6）宣布位于韩国京畿道平泽的新厂扩建计划，预计于 2015 年初拓土动工，最快可能在 2017 上半年正式投产，目标将着重于应用处理器与内存的生产。TrendForce 旗下记忆储存事业处 DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示，有鉴于三星智能手机采用自家处理器的比例未有明显增长，若该新厂落成，着重于 DRAM 或 NAND Flash 产品的可能性较为合理。
2015 年三星 Line17 对 DRAM 的位元增长主要集中在下半年，而上述新厂预估在 2016 年下半年后才有可能影响供给，因此 DRAMeXchange 的预估 DRAM 价格会随着各厂成本下降的幅度逐渐修正，但 2015 年各厂还是能保有获利空间。
吴雅婷进一步指出，三星宣布扩厂的主要原因并非出于需求特别强劲，而是这一年来三星陆续做出海外投资决策下，受到韩国-的高度关切，要求将某部分的投资基金留在韩国国内。根据目前规划，三星将注资 15.6 兆韩元（约合 156 亿美元）于该新厂，但具体时程及产品别都仍待评估。
DRAM 产业虽已走入寡占市场结构，但由于入门门槛极高，新的竞争对手加入机会相对偏低。吴雅婷表示，从三星积极增产 Line17 以及未来可能的 Line18 看来，在市场规模一定的前提下，三星在此时间点对于 DRAM 的策略为较激进的“先扩产先赢”，也就是只要市占最大的领导厂商率先宣布扩产，因风险增高，其他竞争者将难以跟进；而维持供需平衡是寡占型态下的共识，三星此举同时能够避免 SK 海力士以及美光做出相同的积极扩产规划。
首图来源：Flickr/Nan Palmero BY CC2.0
