三星电子（Samsung Electronics Co.）6 日举行韩国平泽（Pyeongtaek）Godeok 工业园区新半导体厂建厂备忘录（MOU）签约仪式。三星表示，京畿道省以及相关市-代表同意提供必要的基础设施并就新厂的建设、营运相关事宜与三星密切合作。
三星电子首席执行官兼副董事长权五铉（Kwon Oh-hyun）在出席 MOU 签约仪式时表示，三星衷心感谢京畿道、平泽市的全力支持。耗资 15.6 兆韩圜、建筑面积达 79 万平方米的平泽厂将在 2015 年上半年动工、预计 2017 年下半年即可开始营运。
彭博社报导，平泽厂将生产内存、处理器芯片，总投资金额相当于 150 亿美元。三星电子预计在 7 日公布 2014 年第 3 季初估财报。
Thomson Reuters 6 日报导，三星表示，平泽厂预估将使公司整体芯片产能增加 10-12%。42 位分析师普遍预期三星电子 2014 年第 3 季营益将达 5.6 兆韩圜、创 2011 年第 4 季以来新低。
韩联社报导，平泽位于首尔南方约 70 公里处，与器兴（Giheung）、华城（Hwaseong）同样位于京畿道。三星电子表示，平泽厂一旦完工，全球最尖端的半导体集群也将就此诞生。三星 2013 年半导体投资金额达 12.6 兆韩圜。除了韩国厂以外，三星在美国德州以及中国也拥有半导体厂。
根据 IHS Technology 8 月公布的统计数据，三星电子第 2 季系统半导体销售额季减 9.6% 至 23 亿美元、市占率下滑 0.7 个百分点至 3.9%。另一方面，英特尔（Intel Corp.）销售额季增 8.8% 至 118 亿美元、市占率扩增至 20%。高通（Qualcomm Inc.）销售额季增 16.8%、市占率上扬 0.7 个百分点至 8.3%。德州仪器销售额季增 10.6%、市占率达 5%。权五铉 4 月曾对员工表示，三星必须在系统 LSI 领域（特别是高阶应用处理器）多加把劲，如此才能在客户面前建立起半导体领导厂商的形象。
三星电子 5 月 9 日宣布，中国西安内存芯片制造厂正式启用、旗下先进 NAND 型闪存“3D V-NAND”将在该厂投产。
以色列财政经济部 9 月 22 日批准英特尔（Intel Corp.）今年 5 月所提出的 60 亿美元晶圆厂技术升级投资案。报导指出，英特尔将在未来 5 年内取得 3 亿美元的-补助并且在 10 年内享有 5% 的企业优惠税率。英特尔位于以色列南部 Kiryat Gat 的晶圆厂目前已雇用 2,500 人、预估到 2023 年将再增聘将近 1 千人。
三星电子今年迄今股价跌幅超过 16%，截至台北时间 6 日上午 10 时 10 分为止上涨 0.26%、报 1,144,000 韩圜；开盘迄今最低点（1,138,000 韩圜）创 2012 年 7 月 18 日以来新低。
国际半导体设备材料协会（SEMI）9 月 18 日公布，2014 年 8 月北美半导体设备制造商接单出货比（Book-to-Bill ratio）初估为 1.04、连续第 11 个月维持在 1 或更高水准，创 2009 年 7 月至 2010 年 9 月（连续 15 个月）以来最长连续纪录。
（MoneyDJ新闻 记者 赖宏昌 报导）
