全球第 2 大 NAND 型闪存（NAND Flash）厂商东芝（Toshiba）23 日发布新闻稿宣布，已研发出全球首见的 15nm 制程 2-bit-per-cell 128-gigabit（16 gigabytes）NAND Flash 产品，且旗下 NAND Flash 生产据点“四日市工厂”第 5 厂房“Fab 5”会将现行生产的 19nm 第 2 世代 NAND Flash 产品更换为上述 15nm 产品、并将自本月底（4月底）开始进行量产。
东芝并指出，目前兴建中的“Fab 5”扩建工程 (第 2 期工程) 完工后，也将在今年秋天量产上述 15nm 产品。
东芝指出，上述 15nm NAND Flash 产品的写入速度同于 19nm 第 2 世代产品，惟数据传输速度达 533Mb/s、达 19nm 第 2 世代产品的 1.3 倍，且其芯片面积较 19nm 第 2 世代产品缩小约 30%、达全球最小水准。
东芝并指出，计划于 2014 年 4-6 月期间量产采用 15nm 制程的 3-bit-per-cell NAND Flash 产品，且并将搭配研发中的高性能 NAND controller，抢攻智能手机、平板电脑市场。
（精实新闻 蔡承启 报导）
