中国于 2016 年创立的一家内存业者，即将成为第一家量产本土设计内存芯片的中国厂商，未来将跟三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron Technology）一较高下。
日经新闻英文版 12 日引述未具名消息人士报导，长鑫储存技术（Changxin Memory Technologies，简称 CXMT，前身为合肥睿力集成电路（Innotron Memory，又称合肥长鑫））已经重新设计自家的 DRAM 芯片，将美国科技的使用量降到最低。市场普遍认为，长鑫可能是华盛顿下一个瞄准的目标。
消息透露，长鑫还是无法完全免于威胁，因为该公司依旧得仰仗美国设备厂（如 Applied Materials、Lam Research 及 KLA-Tencor）和电子设计自动化（EDA）工具供应商（如 Cadence 及 Synopsys）生产芯片，也得靠 Dow Chemical 提供原料。不过，重新设计过后的 DRAM，可让长鑫免于美方窃取知识产权的控诉。长鑫的 DRAM 科技主要来自 2009 年破产的奇梦达（Qimonda）。
长鑫在合肥斥资 80 亿美元打造一座芯片制造厂，预计今年底前投产这些关键的内存零件，一开始将月产约 10,000 片硅晶圆。消息透露，长鑫今年的资本支出将达 10～15 亿美元，已超越全球第 4 大 DRAM 制造商──南亚科去年支出的 6.5 亿美元。
市调机构 CINNO 分析师 Sean Yang 指出，跟全球 130 万片 DRAM 硅晶圆的月产量相较，长鑫的产能虽微不足道，但对于目前完全无法自制 DRAM 的中国来说，却是一大突破。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：shutterstock）
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