当前半导体制程微缩到 10 奈米节点以下，包括开始采用的 7 奈米制程，以及未来 5 奈米、3 奈米甚至 2 奈米制程，EUV 极紫外光光刻技术已成为不可或缺的设备。借由 EUV 设备导入，不仅加快生产效率、提升良率，还能降低成本，使不仅晶圆代工业者积极导入，连 DRAM 内存的生产厂商也考虑引进。为了因应制程微缩的市场需求，全球主要生产 EUV 设备的厂商艾司摩尔（ASML）正积极开发下一代 EUV 设备，就是 High-NA（高数值孔径）EUV 产品，预计几年内就能正式量产。
根据韩国媒体《ETNews》报导，High-NA 的 EUV 设备与目前 EUV 设备的最大不同点，在于使用 EUV 曝光时，透过提升透镜分辨率，使分辨率（resolution）和微影叠对（overlay）能力比现行 EUV 系统提升 70%，达到业界对几何式芯片微缩（geometric chip scaling）的要求。ASML 利用德国蔡司半导体业务部门的技术提升透镜分辨率，就为了此目的，ASML 2016 年正式收购德国蔡司半导体业务部门 24.9% 股权。
针对下一代 High-NA 的 EUV 产品，ASML 之前也已从 3 个主要客户取得 4 台订单，并售出 8 台 High-NA EUV 产品的优先购买权。这些订单中，晶圆代工龙头台积电也是其中之一。2018 年时，台积电就宣布增加 3 亿美元资本支出，为下一代 EUV 设备的预付款，也就是已预购新一代 High-NA 的 EUV 设备。针对新一代 High-NA EUV 设备，ASML 预计 2025 年正式量产。
（首图来源：ASML）
