自 2018 年开始，Power MOSFET 的 ASP（平均售价）持续上升，其中以工作电压范围超过 400 伏特高电压 Power MOSFET 产品成长幅度最显著，已位居价格带中的首位；至于其他中低电压的 Power MOSFET 产品成长幅度较小，但仍缓步上升。
为因应 ASP 成长趋势的差异化表现，12 吋晶圆功率半导体厂的建置及高电压 Power MOSFET 产品布局，或将成为未来厂商发展重点。
▲ 以电压区分 Power MOSFET 的季度 ASP。（Source：WSTS；拓墣产业研究院整理，2019/06）
中低电压 Power MOSFET 价格微幅成长，将由 12 吋晶圆制程提高毛利
过去 Power MOSFET 以 8 吋晶圆制造为主，在制程成熟度与稳定性上达到平衡，并已完成成本优化。但在消费性电子产品需求激增下，8 吋晶圆需要制造的产品也增加，包括 PMIC、指纹辨识 IC、TDDI 及 IoT 相关芯片等，让 8 吋晶圆产能呈现吃紧状态，引发 8 吋晶圆厂产能不足的问题，因此对 Power MOSFET 的 IDM 大厂来说，转进 12 吋晶圆厂是绝佳选择。
目前具 12 吋晶圆厂制造 Power MOSFET 量产能力的厂商为 Infineon，已有一座 12 吋功率半导体厂房生产，且计划兴建第二座，预计 2021 年开始量产；从 Infineon 官方资料来看，12 吋厂在功率与感测器半导体的前段制程上具有 6% 成本效益，能为毛利带来约 2% 增幅，因此未来将持续扩大 12 吋晶圆制造比例。另外，AOS（Alpha & Omega semiconductor）为市场上第二家将以 12 吋晶圆厂制造 Power MOSFET 的厂商，预计于 2019 下半年量产供货，AOS 认为，12 吋晶圆制造最直接优势在产能，且在降低制造成本及提升良率方面也较 8 吋厂优秀；ON Semiconductor 也购入 12 吋晶圆厂，准备生产功率半导体相关元件。
▲ 主要功率半导体 IDM 厂 12 吋厂建厂计划。（Source：厂商；拓墣产业研究院整理，2019/06）
分析中低压 Power MOSFET（工作电压范围 < 400V）的 ASP 趋势可发现，其价格相对平稳，近期价格虽有上涨但幅度较小，因此降低生产成本为提升毛利的必要条件，也让 12 吋晶圆制造 Power MOSFET 备受重视，未来中低电压 Power MOSFET 在无法透过价格上涨创造更高利润下，凭借 12 吋厂成本优势仍有机会贡献毛利率，并同时解决产能不足问题。
高电压 Power MOSFET 价格表现亮眼，为 IDM 大厂产品主要发展重点
功率半导体在终端产品应用愈发广泛，尤其近年在车用、5G 与高阶运算等领域话题性高，皆有部分需求属于高规格 Power MOSFET 的应用领域，吸引主要 IDM 大厂积极投入开发高电压 Power MOSFET（工作电压范围 > 400V）产品，推升 ASP 大幅度成长，位居价格带首位。
为因应高电压 Power MOSFET 市场与技术需求，其中一项发展重点是宽能隙化合物半导体应用，其使用的基底材料朝向以 GaN 及 SiC 等化合物半导体材料为主，能达成在高功率与高切换频率需求。在主要供应链厂商中，Infineon、On Semiconductor、STM、ROHM、AOS、Cree 等积极开发使用 SiC 的 Power MOSFET 元件，除欧美日大厂外，中国 BYD、台湾强茂也积极开发 SiC Power MOSFET 产品；而在 GaN 部分，主要玩家有 Infineon、AOS、Transphorm 等，在高规格需求的 Power MOSFET 市场中抢占市占率。值得一提的是，由于 SiC 与 GaN 晶圆的制造成本较 Si 晶圆高，也是拉抬高电压 Power MOSFET 价格的主要推手之一。
▲ Power MOSFET 适用基底材料分布。（Source：拓墣产业研究院整理，2019/06）
总体而言，欧美日 IDM 大厂看好高规格 Power MOSFET 的未来发展，将持续增加既有的 Silicon 基底 Power MOSFET 与 SiC / GaN 基底 Power MOSFET 的产品数量及应用领域，可望支撑高电压 Power MOSFET 价格保持成长水准，进一步带动高电压 Power MOSFET 的市场需求与产值成长。
（首图来源：shutterstock）
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