日韩贸易战与东芝跳电影响 DRAM、NAND 短期价格走势，长期需关注原厂库存水位

TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）指出，继 6 月中旬东芝断电事件后，日本-近日宣布从 7 月 4 日起，开始管控向韩国出口 3 种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料，造成内存产业下游模组厂出现提高报价状况，然而，由于目前 DRAM 和 NAND Flash 库存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出货，仅是申请流程延长，因此短期结构性供需反转的可能性低。

日韩贸易战的爆发使得业界盛传内存价格将反转的消息，TrendForce 分析指出，因 DRAM 价格已历经连续 3 季快速下滑，下游模组厂的库存水位普遍偏低，也因此当前确实有观察到部分模组厂利用该原物料事件而开出上扬的价格或表示将停止生产。然而，目前现货市场占整体 DRAM 市场仅不到 10% 水准，中长期产业的供需态势仍需关注占比超过 9 成的合约市场为主。

从需求面来看，不论零售端的 PC、智能手机，或是企业用服务器与资料中心建置，目前整体终端需求仍呈现十分疲弱的态势。然而，反观供给端目前 DRAM 供应商的库存水准仍普遍高于 3 个月，也导致 PC、服务器内存及行动式内存的合约价在第三季初仍旧持续走跌，暂时未见反转向上的迹象。TrendForce 认为，DRAM 市况受此原物料事件而出现结构性供需反转的可能性低。

NAND Flash 市场行情则受到日本材料出口审查趋严，以及东芝停电事件的影响。由于 Wafer 市场报价已经偏低，预计 7 月起各供应商报价将浮现涨势。然而，考量供应商普遍备有 2-3 个月的库存水位，第一时间多数模组厂不会立即接受涨价，后续则需视市场及供应端库存状况决定交易价是否上涨。至于对 OEM 的各类 SSD、eMMC / UFS 产品报价方面，目前虽有部分供应商暂停出货，但依供需状况分析，并考量 OEM 端的库存水位，TrendForce 认为，虽然 NAND Flash 价格短期将出现上扬，但长期仍有跌价压力。

（首图来源：shutterstock）

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