德国光学大厂蔡司 （ZEISS） 于 17 日宣布，推出次微米分辨率 3D 非破坏性的成像解决方案 “ 蔡司 Xradia 620 Versa RepScan ”，透过该项解决方案的检验与量测功能，能够进一步先进 IC 封装的上市时程。
蔡司表示，针对行动与高效装置对于微缩以及传输效能的需求不断提高，使得业界在高密度多芯片架构的许多创新，而这些设计也带动封装技术迈入立体化，使得制程的量测技术成为是否能推出新颖且先进技术的关键，而这些技术的制程宽容度 （process margin） 通常较低或较难被控制。然而，现今先进封装中因目标物太小，已无法用 2D X-ray 与 microCT 这类非破坏性的方法来观测。
此外，物理横切面除了无法提供3D立体资料之外，还属于破坏性量测，较为耗时，通常也只能处理少量样本。因此，就统计层面来说，改进制程控的成效有限。所以，新一代的蔡司 Xradia 620 Versa RepScan 解决方案，可以运用 3D X-ray 显微镜 （XRM），透过蔡司革命性的远距高解析 （RaaD） 技术与精密的分析软件，能为深埋在最先进封装内的芯片提供完整的体积与线性量测。此方法远超过使用物理横切面、2D X-ray 及 microCT 等既有量测方式所能及。
另外，蔡司还指出，Xradia 620 Versa RepScan 支援复杂的小间距 3D 架构之设计验证、产品开发、制程最佳化与品保 ／ 品管 （QA/QC），包含 2.5D 中介层 （Interposer）、具备硅穿孔 （TSV） 与微凸块 （microbump） 的高带宽内存堆叠、层叠封装 （package-on-package） 互连及单一堆叠中内含多芯片的超薄内存能提供更精准的资料结果，帮助缩短先进封装的开发与良率学习周期。
对此，蔡司制程控制解决方案 （PCS） 暨蔡司半导体制造技术 （Carl Zeiss SMT） 负责人 Raj Jammy 表示，在 3D 封装的新时代需要新的方法，在可靠的传输量下量测深埋在内的互连结构和其他关键制程，以加速新产品的上市时程。近十年来，蔡司 Xradia Versa 3D XRM 系统已成为半导体封装非破坏性失效分析的标准。如今蔡司 Xradia 620 Versa RepScan 为这个领先业界的 Versa 平台增添新功能，为深埋在先进封装内的关键芯片提供线性及体积量测功能，造就更好的制程、更快的学习周期及更高的良率。
最后，蔡司表示，全新 Xradia 620 Versa RepScan 内含蔡司经验证过的 Versa 3D XRM 功能，能用次微米分辨率以非破坏性方法成像并量测深埋在结构内的芯片，并运用重建的 3D 资料集撷取出关键的 3D 资讯。除了能执行各种线性及体积量测之外，亦能对硅穿孔与微凸块、焊料体积与形状、接合线厚度、晶粒翘曲 （warpage）、3D 空隙分析与其他的量测进行各方面的分析，且仅需准备最少的样本。半自动化的工作流程提供可重复的量测，确保不会因横切面误差导致成像遗失，并将手动操作导致的量测变异性降至最低。而蔡司 Xradia 620 Versa RepScan 现已开始展示产品与供货。
(首图来源:科技新报摄)
