就在当前内存市场开始逐渐复苏的当下，韩国内存大厂 SK 海力士于 21 日宣布，开始开发适用 1Z 奈米制程的 10 奈米等 级16Gb DDR4 DRAM 内存。根据 SK 海力士的指出，相较于上一代 1Y 奈米制程的 10 奈米等级 DRAM，该产品的生产效率提高了 27%，并且可以在不用高价的 EUV 及紫外光刻技术的情况下进行生产，将具有其成本竞争力。
SK 海力士进一步指出，该款 1Z 奈米制程的 10 奈米等级 16Gb DDR4 DRAM 内存还可以稳定支援最高 3200Mbps 的资料传输速率，这会是 DDR4 规格内的最高速率。相关的使用功耗也显著降低，与 1Y 奈米制程的 10 奈米等级 8Gb DRAM 相同容量模组比较，其功耗约降低了 40%。
另外特别的是，该款 1Z 奈米制程的 10 奈米等级 16Gb DDR4 DRAM 内存适用前一代的生产技术，但是却能使用从来没使用过的新材料，如此以将 DRAM 运作时的关键要素静电容量 （Capacitance） 最大化。此外，还引进了新的设计技术，进一步提生了运作时的稳定性。
SK 还强调，1Z 奈米制程的 10 奈米等级的 DDR4 DRAM 拥有业界最高水准的容量和速度，再加上优异的功耗状况，将是最适合应用于高性能或高容量 DRAM 的客户需来使用。根据规划，SK 海力士将在 2019 年底前完成大量生产，并且从 2020 年开始正式对市场供应， 积极应对市场需求。
而除了 1Z 奈米制程的 10 奈米等级的 DDR4 DRAM 之外，SK 海力士目前还计划针对下一代行动 DRAM LPDDR5 和 最高阶 DRAM HBM3 等多项产品开始扩大使用 1Z 奈米制程的的10奈米等级技术。
(首图来源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)
