日本科技大厂富士通（Fujitzu）于 30 日宣布，推出型号为 MB85RS2MTY 的 2 Mbit FRAM。此款容量最高的 FRAM 产品能在高达摄氏 125 度的高温下运作，积极抢攻汽车电子与工业用产品市场，评测样品现已开始供应。
富士通指出，此款 FRAM 非挥发性内存在运作温度范围内能保证 10 兆次读写周期，并支援像记录驾驶资料，或即时定位资料等这类持续且频繁的资料记录。由于该内存属于非挥发性，即使遇到突然断电的状况，写入的资料也能受到保护不会遗失。因此，这款产品适用于需在高温环境运作的应用，像是具有会产生大量热能的引擎或马达的汽车设备与工业机器人。
富士通进一步表示，在过去约 20 年间，富士通量产各种 FRAM 非挥发性内存产品，具备比 EEPROM 及闪存更高的读写耐用度、更快的写入速度及更低的功耗。而这款拥有 2Mbit 密度的产品采用 SPI 界面，支援从 1.8 伏特至 3.6 伏特的广泛电压范围，且运作耐热度可高达摄氏 125 度，即使在这样的高温环境也能保证 10 兆次的读写次数，相当于 EEPROM 的 1 千万倍。而且，最高运作频率则达到 50MHz，比现有产品快 1.5 倍。此外，这些产品的可靠度测试符合 AEC-Q100 Grade 1 标准，达到称为“汽车级”产品的认证标准。
另外，此款 FRAM 采用业界标准 8-pin SOP 封装，使其能轻松取代现有类似脚位的 EEPROM 产品。而且，也提供拥有 8-pin DFN (Dual Flatpack Non-leaded) 的封装。
目前，富士通持续为 IC 卡、工业机械与消费性装置提供资料写入效能高于 EEPROM 的 FRAM 产品。能在最高摄氏 125 度环境中运作的 FRAM 产品，自 2017 年起就已经量产。因此，这类 FRAM 逐渐被广泛用在需要在高温下维持运作与高可靠度的汽车及工业机械市场。此次，富士通研发并推出最大容量的 2Mbit 产品，借此强化可运作于高达 125 度的 FRAM 产品阵容。而未来，富士通还将持续提供各种 FRAM 产品与解决方案，协助客户提升各类应用的价值与便利性。
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