国内法人投资报告指出，内存产业历经约一年多的价格下跌，其中 Flash 价格已确定在 4 月落底，7 月上涨并持稳至今。而 DRAM 合约价预料有机会在 2020 年第 2 季回温，但短期现货价格仍承受不小的淡季跌价压力，相关个股股价也有些微修正情况下，针对国内内存个股当前可开始留意逢低买点，包括旺宏与华邦电股票平登提升为“买进”，目标价则个别为 40.1 元及 19.7 元，而南亚科则是给予“中立”评等，目标价 75.5 元。
报告中指出，2020 年 DRAM 位元成长率再下修，市调机构近期参酌各大厂的资本支出的说法及近期合约价格变化情况，目前对年位元成长性的预测已较 2019 年第 3 季的预估值再向下修正。其中，DRAMExchange 预期，2020 年 DRAM 的位元成长将降至 10% 到 15% 之间，远低于正常年度的 20%。Nand Flash 的位元成长性，也由正常 40% 附近降至 30% 以下，主要反映近期 DRAM 合约价格仍持续下滑，NAND Flash 厂商亏损虽缩小或仅小赚，使得厂商对于对于大举扩产仍显得小心翼翼。
另外，在 NOR Flash 方面，因为新兴需求的推升，各密度价格转趋稳定的 NOR Flash 产值，2019 年预估将连续第二年衰退。不过，根据供应链调查显示，中国兆易创新的中低密度 NOR Flash 价格在 2019 年第 3 季已经持平，甚至部分产品在 2019 年第 4 季调涨价格。至于，客制化程度较高的高密度 NOR Flash 毛利率甚至可高达 40% 以上。因此，展望后市，NOR Flash 未来两年主要的成长动能将来自新兴市场应用，例如 AMOLED 面板、TDDI 芯片及 TWS (无线耳机) 等皆需搭载 NOR Flash，且搭载的密度随着规格升级也会提升，成为市场投资人最看好的应用之一。
整体来说，内存产品价格从 2019 下半年逐步下跌以来，各大厂皆积极执行减少供给的手段，总体库存到了下半年已逐渐降低，因而支撑 NAND 及 NOR Flash 价格止跌回升、 DRAM价格跌幅缩减。尽管各业者 2020 年仍将进行制程升级计划，但因内存芯片获利率已恶化一段时间，各大厂对外宣告的资本支出计划皆倾向保守以对。
在DRAM方面，尽管各业者 2020 年仍将进行制程升级计划，但因内存获利率已恶化一段时间，各大厂对外宣告的资本支出计划皆倾向保守以对。因此，根据 DRAMExchange 最近预估，2020 年 DRAM 的位元成长将降至 10% 到 15% 之间，远低于正常年度的 20%。其中，DRAM 合约价将在 2020 年第 2 季落底反弹，并认为 Mobile DRAM (或 Low Power DRAM) 价格回升幅度最低，从年初到年底的预估值约上涨 10% 到 15%，服务器涨幅居次，约达20% 到 25%，PC DRAM 涨幅预估最大，约达 25% 到30%，并预期 2020 年 DRAM 产值将回温，预估年成长约在 1.5% 到 13.4%。
至于，利基型 Flash 市场，包括 NOR 及 SLC NAND 两大利基型 Flash 在未来一年，预估受惠供需秩序好转，主要产品利润预估将逐步好转。其中，TDDI 芯片、TWS (无线耳机)、AIoT device 等新兴应用将推升 NOR Flash 的位元出货量逐年成长。NAND Flash 主要业者将产能逐步由 SLC NAND 升级到 3D NAND 的趋势将持续，而先进制程的 SLC 新增供给将主要来自旺宏。此外，全球第三大 NOR业者及 SLC 供应商之一的塞普拉斯将被英飞凌购并，预料 2020 年购并完成后，也将会把重心转移至双方的互补综效，预估以旺宏为首 NOR 及 SLC 厂商可望趁机提高市场占有率。
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