2020 年有机会因需求提升而带动市场复苏的情况下，根据《路透社》报导，韩国内存龙头三星电子，计划将对位于中国西安内存工厂增加 80 亿美元（约新台币 2,450 亿元）投资，以促进 NAND Flash 闪存的生产。
根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）调查，2019 年第 3 季 NAND Flash 闪存的整体营收表现，受惠于年底销售旺季，以及因应美中贸易冲突客户提前备货需求增加，激励了整体位元出货量成长近 15%。另一方面，在供应商库存水位改善下，抑制了以低价对 Wafer 市场倒货的力道，进而带动合约价跌幅收敛。至于，展望 2019 年第 4 季，在合约价反应铠侠（Kioxia）位于四日市厂区跳电事件冲击止跌反弹后，加上旺季市场需求回温，将有助于各供应商的获利表现有所改善。
对此，市场人士分析，由于三星是全球最大的 NAND Flash 闪存制造商，这类芯片可以可用于行动设备、记忆卡、USB 和 SSD 固态硬盘中。而现阶段中国 5G 网络布局提速，对 5G 设备和网络需求的不断上升，因此预计 2020 年全球NAND Flash 闪存市场将出现反弹。因此，三星此次投资正值全球内存市场预计于2020年反弹之际，加大中国内存生产线的投资也是预做准备。
报导指出，这次的投资是三星 NAND Flash 闪存计划的第 2 期第 2 阶段投资，此前 108 亿美元为第 1 期投资。第 2 期计划预计总投资 150 亿美元，包括第 1 阶段投资金额约 70 亿美元，以及第 2 阶段投资金额则为 80 亿美元。据悉，第 2 期计划预计于 2021 年下半年完工，完成后将新增产能每月 13 万片，新增产值约 300 亿人民币（约新台币 1,314 亿元）。
三星在 NAND Flash 闪存领域的竞争对手包括韩国 SK 海力士（SK Hynix）和美国美光（Micron Technology）及日本东芝，另外还有几家中国企业也正试图进入该领域。虽然日前中国长江存储（YMTC）宣布，将在 2019 年之前开始大规模生产 64 层 3D NAND Flash 闪存，不过相对于三星，SK 海力士、美光以及东芝都已经有能力生产 96 层，3D NAND Flash 闪存的情况下，中国厂商至今仍只能在低阶产品中抢食市场，还不足以与这些国际大厂竞争。
（首图来源：三星）
