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NAND Flash 市况好转,中国长江存储直接杀入 128 层堆叠开发

2024-10-25 220


日前,中国内存厂商长江存储确认自主研发的 64 层堆叠 256Gb TLC NAND Flash 已经在 2019 年投入量产,并正在扩充的产能,将尽早达成约产能 10 万片的规模,并达到计划总产能每月 30 万片的目标。如今,长江存储再宣布下一个阶段的技术发展目标,就是将跳过如今业界常见的 96 层,直接投入 128 层 NAND Flash 的研发工作,不过,暂时没有具体的目标时间表。

对于长江存储计划跳过 96 层堆叠,直接投入 128 层堆叠 NAND Flash 产品的发展计划,市场人士反映,在中国极力发展自主半导体产业的情况下,期望弯道超车已经是中国各厂商努力的目标,只是届时能不能完成,则还有待观察。

事实上,2020 年,全球 NAND Flash 产业将集体朝向 100 层以上堆叠的发展已经成为趋势。例如韩国 SK 海力士已在近期出货 128 层 NAND Flash,并预计在年底完成 176 层堆叠产品的开发。至于三星则以 128 层、136 层的产品发展为主,威腾电子与铠侠 (原东芝内存) 则都是以开发 112 层堆叠的高密度产品为主。美光方面则将进入 128 层堆叠的领域,而英特尔则会建立 144 层堆叠的产品产线。

过去,长江存储推出 64 层堆叠的 NAND Flash 产品,相对于国际大厂有一到两代的差距。因此,这次选择以 128 层堆叠的产品发展,一旦真的成功,无疑的将能进一步缩小与业界其他领先对手的差距。不过,在技术的挑战性上也将会更大。

据了解,长江存储在技术创新方面,透过自行研发的 Xtacking 堆叠架构,已经可以保证可靠性问题,而目前下一代的 Xtacking 2.0 也正在开发中,未来可把效能与可靠性层次提升,这也是长江存储有自信直接抢攻 128 层堆叠市场的重要关键。

根据长江存储之前的介绍,Xtacking 架构就是在两片独立的晶圆上加工周边电路和储存单元,有利于选择更先进的制程技术,提升 NAND Flash 的 I/O 界面速度、储存密度,使得芯片面积也能减少约 25%。

而且,当两片晶圆各自完工后,只需一个处理步骤就可透过数百万根垂直互联通道 (VIA),将两片晶圆结合在一起。因此,长江存储强调,受惠于并行且模组化的产品设计及制造方式,这使得 Xtacking 架构的 NAND Flash 的开发时间也可缩短 3 个月,生产周期也可缩短 20%。

根据 TrendForce 内存储存研究(DRAMeXchange)日前的调查报告指出,由于 Client SSD 合约价自高点连跌 7 季之后,其与传统硬盘的成本差距已经不远,使得自 2019 年第 2 季起刺激笔记型电脑搭载 SSD 的比重及容量显著上升。

另外,2019 年 6 月中旬后,铠侠/威腾位在日本三重县四日市的厂区发生跳电问题,导致市场供给量下降,因此带动 eMMC/UFS、SSD 成交价格在 2019 年第 3 季中止跌。至于,Wafer 市场则更是迅速反弹,2019 年第 3 季上涨近 20%,eMMC/UFS 及 SSD 合约价也在 2019 年第 4 季翻涨。因此,总体而言,预估2020 年第 1 季 NAND Flash 将呈现淡季不淡。

而在此 NAND Flash 市况逐渐好转的情况下,长江存储 NAND Flash 产能的扩张,再加上即将投入最新堆叠技术的情况下,究竟能对市场带来多大的影响,则有待后续的进一步观察。

(首图来源:长江存储)

2020-01-17 22:02:00

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