韩国内存大厂 SK 海力士 (SK-hynix) 宣布，已经与 Xperi Corp 旗下的子公司 Invensas 签订新的专利与技术授权协议，未来将可以使用 Invensas 的 DBI Ultra 2.5D/3D 连结技术，使得目前在半导体发展上的两大发展领域-微缩 (miniature) 及异质整合 (Heterogeneous integration) 能获得更进一步发展。
SK 海力士表示，DBI Ultra 是一种专利的裸片，也就是在晶圆上借由混合键合的连结技术，使得在此裸片上达到每平方毫米的面积里容纳 10 万个到 100 万个连接开孔，孔间距最小只有 1 微米的大小，相比每平方毫米最多只有 625 个连结开孔的传统铜柱连结技术，新的技术可大大提高传输带宽。
另外，DBI Ultra 使用化学键合来连接不同的连结层，不需要铜柱和底层填充，因此不会增加晶圆的厚度，从而大大降低整体堆叠高度，预计可将 8 层堆叠提升到到 16 层堆叠，以获得更大容量。而且，在使用新技术制程的情况下，产品的良率因为不需要进行高温的流程，使得其产品的良率相较过去有更好的表现。
SK 海力士还强调，和其他下一代的连结技术类似，DBI Ultra 也同样支援 2.5D、3D 整合封装，还能整合不同尺寸、不同技术制程的 IP 模组。因此，不但可用来生产 DRAM、3DS、HBM 等内存，也可用于高整合度的 CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC 等产品的制造上。例如在 3D 整合解决方案上，在上方可以是 4 到 16 层堆叠的 HBM，下方则是连结了 CPU、GPU、FPGA、SoC 等逻辑运算单元。这对于未来在设计手持终端产品上，有大大节省空间的好处。
不过，目前 SK 海力士还未透露将会把 DBI Ultra 技术运用在什么样的产品上，但是依照市场的推测，以 SK 海力士的技术特长来说，显然用于 DRAM、HBM 上将会是最佳的选择。
(首图来源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)
