台积电 5 奈米下半年将强劲成长，3 奈米预计 2022 年量产，并已研发 2 奈米，工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为，台积电制程 5 年内将称霸晶圆代工业，3D 封装是新挑战。
全球芯片巨擘英特尔（Intel）7 奈米制程进度延迟，并可能释出委外代工订单；同时，手机芯片厂高通（Qualcomm）也传出 5 奈米处理器可能自三星（Samsung）转由台积电代工生产，让台积电制程领先地位成为市场近期关注焦点。
台积电继 7 奈米制程于 2018 年领先量产，并在强效版 7 奈米制程抢先导入极紫外光（EUV）微影技术，5 奈米制程在今年持续领先量产，下半年将强劲成长，贡献全年约 8% 业绩。
台积电 3 奈米制程技术开发顺利，将沿用鳍式场效晶体管（FinFET）技术，预计 2022 年下半年量产，台积电有信心 3 奈米制程届时仍将是半导体业界最先进的技术。
为确保制程技术持续领先，台积电 2019 年已领先半导体产业研发 2 奈米制程技术，台积电目前尚未宣布量产时间，不过，依台积电每 2 年推进一个世代制程技术推算，2 奈米可望于 2024 年量产。
杨瑞临分析，尽管台积电 2 奈米制程将自过去的 FinFET 技术，改采环绕闸极（GAA）技术，台积电 2 奈米制程仍可望维持领先地位，以目前情况看来，台积电制程技术将再称霸晶圆代工业至少 5 年。
只是制程微缩技术即将面临物理瓶颈，且价格成本越来越高，杨瑞临说，3D 堆叠先进封装技术将更趋重要，相关设备与材料问题都有待解决，这也是台积电的新挑战。
杨瑞临表示，台积电在先进封装领域着墨多时，自 2016 年推出 InFO 封装技术后，至 2019 年已发展至第 5 代整合型扇出层叠封装技术（InFO-PoP）及第 2 代整合型扇出暨基板封装技术（InFO_oS），并开发第 5 代 CoWoS。
此外，台积电开发系统整合芯片 SoIC，以铜到铜结合结构，搭配硅导孔（TSV）实现 3D IC 技术，将提供延续摩尔定律的机会。
杨瑞临认为，台积电在先进封装领域仍将领先对手三星。外资并预期，先进封装将是台积电筑起更高的技术与成本门槛，拉大与竞争对手差距的关键。
（作者：张建中；首图来源：shutterstock）
