2020 年第二季 DRAM 总产值季增 15.4%，然而第三季价格恐反转向下

根据 TrendForce 旗下半导体研究处表示，2020 年初在 Server DRAM 价格强势领涨的带动下，各类 DRAM 价格正式翻扬；即便新冠肺炎（武汉肺炎、COVID-19）疫情在第二季开始蔓延全球，但采购端因担忧零组件断货，并未减少原本预估的订单量，使 DRAM 供应商出货量优于预期，进一步激励整体 DRAM 价格涨幅扩大，推升第二季 DRAM 总产值至 171 亿美元，季成长 15.4%。

TrendForce 并指出，经过连续两季的拉货后，Server 业者库存水位已逐渐攀升，在整体经济仍处低潮的情况下，以 Enterprise Server 为首的采购动能开始转趋保守。在 DRAM 产业由 Server 领涨领跌的趋势下，恐带动其他产品价格一并反转向下。因此预估第三季将出现量平价跌走势，DRAM 原厂获利能力将转弱。

第二季 DRAM 价格涨幅扩大，拉升三大 DRAM 原厂营收与市占

观察三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三大 DRAM 原厂营收表现，第二季走势一致且无明显变动，在 DRAM 量价齐扬带动下，营收成长皆突破双位数；而各家市占除三大巨头以外，其他厂商占比合计仅 5%。然而第三季由于适逢美光财务年底，推测其会较积极降价求量，可能使市占小幅上扬，但三大厂整体格局仍不受影响。

第二季 DRAM 整体均价大致上升约 10%（受各家产品比重与财务会计区间不同而有所差异），因此各家获利皆呈现上扬走势。以三星而言，营业利益率自第一季 32% 攀升至 41%，突破四成水准；SK 海力士因 Server DRAM 比重高，加上价格涨幅剧烈，营业利益率达 35%。美光本次财报区间（3 月至 5 月）的报价涨幅小于韩系厂，因此营业利益率受益有限，仅由上季的 16% 上升至 21%。预期第三季原厂成本优化的速度较难以支撑报价下滑，获利恐面临压力。

疫情导致需求端状况不明，DRAM 原厂谨慎规划明年产能

从技术发展来看，第二季三星持续将 Line 13 部分产能由 DRAM 转向 CIS（影像感测器），并准备启动平泽二厂 P2L，预计下半年投入 DRAM 生产，在弥补 Line 13 投片下滑的同时，也开始拉高 1Znm 制程比重。SK 海力士 M10 厂 DRAM 投片持续转向 CIS，同时增加 M14 产出；下半年将小幅提高无锡厂的产能，全年 DRAM 位元增加主要来自于 1Ynm 制程比重提升。

美光今年仍着重在 1Znm 制程的量产与产出比重的拉升，当前适逢量产初期且部分 OEM 处于产品验证阶段，因此 1Znm 占比不高。预计随着验证通过，1Znm 将成为该公司主推制程，而总产能方面则与去年大致相同。整体而言，今年三大 DRAM 原厂皆审慎扩增产能，加上疫情对需求端带来的低潮尚未解除，预估明年位元成长仍有近七成来自 1Ynm 与 1Znm 的先进制程转换；而厂房扩增的产能增加仅占三成。

台系厂商专研先进制程与产品改良，整体表现量价齐扬

观察台厂方面表现，南亚科（Nanya Tech）出货量与均价皆呈现约 7% 涨幅，使其第二季营收较前一季增加 15%；而受惠于报价走升其营业利益率来到 19.6%。华邦（Winbond）受到长约效应影响，价格成长幅度仅 0.5%，相较 DRAM 营收，Flash 成长动能较显著。力积电（Powerchip）营收仅计自家生产之标准型 DRAM 产品，第二季因 PMIC（电源管理 IC）、Driver IC 等逻辑产品需求畅旺，导致 DRAM 产能限缩，因此 DRAM 营收仅约略持平。

3 家台厂在第二季皆专注在下一代制程的研发，如南亚科积极专研 1A/1Bnm，期望尽快导入试产；华邦持续提升新制程 25nm 的良率，而产能扩建倾向以 Flash 为主；力积电则在 25nm DDR4 产品改良的同时，以代工逻辑产品为公司之营运重心。

（首图来源：shutterstock）