如何提升内存的储存容量，是内存产业永不变的目标，如今，这项进展又有了新突破。根据外国媒体 Tech Explorist 报导，韩国 UNIST 能源与化学工程学院教授 Jun Hee Lee 与研究团队发现了一种新的物理现象，有望将内存芯片的储存容量提升 1,000 倍；目前研究团队正致力将此物理现象用于铁电随机内存（FRAM）。
FRAM 透过所谓的极化现象（Polarization）储存讯息，优点在于速度更快、功耗更低，甚至电源关闭后仍能保留储存的资料；而目前对 FRAM 的技术研究，多集中在减小铁电域（Ferroelectric Domains）大小同时还能保持存储容量；因铁电域形成（发生自发极化的微小区域）至少需要成千上万个原子。
而报导指出，Lee 与其带领的 UNIST 团队，发现透过添加一滴电荷到称为铁电氧化 Ha（HfO2）的半导体材料，可控制 4 个单独的原子储存 1 位数据；经适当应用后，内存储存容量可达每平方公分 500Tbit，是目前闪存的 1,000 倍。
Lee 表示，此技术将有助于加速内存缩小，且透过这种技术，有望将内存储存容量扩大1,000 倍，同时也有助于研发低成本的 FRAM 或铁电场效晶体管（Ferroelectric Field-effect Transistor，FeFET）。
- BREAKTHROUGH RESEARCH COULD INCREASE CHIP STORAGE CAPACITY UPTO 1,000 TIMES
（首图来源：UNIST）
