继中芯证实遭受美国限制之后，继福建晋华案之后，日前又传出内存大厂美光即将对中国同行长鑫存储掀起专利战的消息。
据消息指出，尽管长鑫已积极布局 DRAM 专利，但可能还是会被美光锁定，目前有不少内存模组业者已陆续受到美光的关切，业界气氛相当紧张，尤其中美关系紧张程度正急遽升高，可能将再度爆发专利大战。
长鑫存储也可以说是目前中国 DRAM 的标竿，2018 年开始试产一款号称是中国自主研发的 8Gb DDR4 DRAM 芯片，2019 年第 3 季更再推出 8Gb LPDDR4 内存样品，并预计今年月产能将达到 2 万片晶圆，长鑫目前已拥有一座 12 吋晶圆厂，计划今年底能月产 7~8 万片，未来满载可望近 12 万片，且未来还有两期建设。
百万悬赏样品
急速的产能扩张甚至曾被市场预期将会令 DRAM 产业陷入红海。不过如今恐怕没有那么容易了，美光正虎视眈眈的盯着长鑫的产品，甚至传出开价 100 万人民币想取得其工程样品，来进行逆向工程。虽然后长鑫似乎很快速的回收，不过美光也没有就此放弃。据知情人士表示，被收回的第一版样品可能真的有仿制品的痕迹，但第二版可能就已变更过设计。
基本上目前 DRAM 市场的底层专利已经被垄断，且长鑫采用的的确是类美光的堆栈式设计，基本上业界也不看好能完全绕过美光，也之所以长鑫才为此取得奇梦达（Qimonda）的专利库，做为未来抗衡美光的筹码。不过值得注意的是，奇梦达的技术与如今长鑫自研芯片仍有相当的差异，原奇梦达的设计多以沟渠式（Trench）制程闻名，专利保护力可能还是有限。
▲ 左图为奇梦达的沟渠式设计，而右图为长鑫存储的专利，实际上是在堆栈式设计中引入沟渠式的特性来加以改良，在专利保护方面就会比较有疑义。（Source：专利文件）
模组厂风声鹤唳
长鑫可能打算以堆栈式混入沟渠式的设计来打模糊仗，但这也并没有那么容易，甚至长鑫自己可能也没那么有信心。还有消息指出，原本积极扩产的计划已经停止，更有部分不具名模组厂已暂停与长鑫的合作，业界也开始弥漫紧张氛围，这些消息的冲击还在评估中尚待厘清。
不过长鑫目前主要市场仍在中国，主要的合作厂商也是中国的模组业者，且专利战没有那么容易，就算美光缠战也应该很难在中国境内使其败诉，最终结果可能就是长鑫断开与国际业者的联系，但还是会在中国市场销售。所以也有猜测认为，这可能会牵扯到目前的美中禁令，才会令美光的专利战更有意义。
（首图来源：科技新报）
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