为提升电源充电效率及消费性电子、工业充电器，以及电源转接器的开发速度，意法半导体（ST）宣布首款嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓（GaN）晶体管的 MasterGaN 平台。MasterGaN 特点在于，是首个封装整合硅基驱动芯片和 GaN 功率晶体管的解决方案，相较硅充电器和转接器，其尺寸缩小80%，重量减轻70%，且充电速度提升 3 倍。
GaN 技术使电力装置能够处理更大功率，同时装置本身将变得更小、更轻，而且更节能。这些改良将会改变智能手机超快充电器和无线充电器、PC 和游戏机的 USB-PD 高功率配置转接器、太阳能储电系统、不断电供应系统或高阶OLED电视机，还有云端服务器等工业应用。
不过，在目前的 GaN 市场上，功率晶体管和驱动 IC 通常是离散元件，这使设计人员必须学习两者间的协同作业，以达到最佳性能。为此，ST 将 GaN 晶体管和驱动 IC 整合成同一元件（MasterGaN），不仅缩短产品上市时间，同时还使封装变得更小、更简单、电路元件更少，而且系统变得可靠性更高。透过 GaN 技术和整合式产品的优势，采用新产品的充电器和转接器将相较普通硅基解决方案尺寸缩减 80%，重量亦降低了 70%。
据悉，MasterGaN1 整合两个半桥配置的 GaN 功率晶体管和半桥驱动芯片， 9mm x 9mm GQFN 薄型封装确保高功率密度，满足高压应用。另外，该产品系列有多种不同的 GaN 晶体管尺寸，并以脚位相容的半桥产品形式供货，方便工程师升级现有系统，并尽可能降低更改硬件的程序。
同时，在高阶的高效能拓扑结构中，例如，带有源钳位的反激或正激式变换器、谐振无桥图腾柱功率因数校正器（PFC），以及在 AC/DC和DC/DC 变换器，以及 DC/AC 逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使 GaN 晶体管可以提供卓越的效能和更高的整体性能。
意法半导体执行副总裁、类比产品分部总经理 Matteo Lo Presti 表示，MasterGaN 产品平台透过 ST 经过市场检验的专业知识和设计能力，再整合高压智慧功率 BCD 制程与 GaN 技术而成，能够加速开发兼具节省空间、高效能的产品。
（首图来源：意法半导体）
