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国巨与成大创共研中心,开发高阶被动元件材料

2024-11-30 228


被动元件大厂国巨与成功大学共同研发中心今天成立,包括国巨和旗下基美、普思、奇力新、同欣电与成大合作,开发高阶被动元件材料技术以及新一代半导体封装陶瓷基板。

国宏团今天下午举行与成功大学共同研发中心揭牌仪式,董事长陈泰铭表示,国宏团与成功大学成立共同研发中心,结合科技部专案计划,投入被动元件前瞻技术的研发,培育人才及产学合作,确保公司长期成长的营运动能,建立永续经营的实力。

他指出,国巨将持续善用台湾优势包括研发技术、产业聚落和供应链,持续投资高阶产品在高雄生产,增设研发中心,并结合集团内基美、普思、奇力新、同欣电、凯美等高阶关键零组件技术,将高阶技术发展根留高雄。

国巨指出,集团主要研发中心位于高雄,此次与成大成立共同研发中心,将配备先进的高解析穿透式电子显微镜及相关奈米陶瓷粉末的分析设备,强化在材料和产品技术的开发。

国巨至少投入新台币 5,000 万元在共研中心,加强与学术界合作,将采双研究中心制,各设一个研究中心在国巨楠梓厂及成大校园,双方共同开发前瞻技术,满足新产品及技术开发需求。

此外共研中心将设立国巨学院,开设被动元件相关课程,长期共同培育人才,加入被动元件产业。

其中国巨和基美(KEMET)将和成大透过共研中心平台,携手开发汽车和 5G 用的 MLCC 技术,普思(Pulse)与成大合作开发低温共烧陶瓷(LTCC)设计和 60GHz 高频量测技术,推出 5G 应用的毫米波天线及滤波器通讯元件。

奇力新将与成大合作开发新一代射频元件及端电级材料,把新导电材料导入被动元件使用;同欣电将与成大合作开发活性金属硬焊制程级材料自制化,布局高功率氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)封装用陶瓷基板,支援电动车电力系统。

(作者:锺荣峰;首图来源:shutterstock)

2020-11-15 09:05:00

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