DRAM 价格在美光跳电事件后，报价提前反转向上。其中，利基型 DRAM 近期的走势更是强劲，报价自 12 月开始明显走扬，明年利基型 DRAM 甚至恐将出现供应吃紧状况。根据业内人士透露，晶豪科本周的利基型 DRAM 现货报价甚至出现跳增 20% 的状况，而价格上扬的状况已反映在中国客户上。
带动这波利基型 DRAM 涨势的动能主要来自消费性电子产品与 IoT 布建需求。先前由 TrendForce 所出具的新闻稿中就提到，由于远距办公与教学成为新生活常态下，数字电视、机上盒需求不减反增，以及 5G 基础建设的落实带动 Wi-Fi、Router、Modem 等网通产品需求畅旺等因素，带动利基型 DRAM 价格涨势。
除了需求面以外，供给面的减少也是利基型 DRAM 涨势再起的原因。由于 SK 海力士与三星两大韩系厂商已逐渐减少供应，DDR3 已成为台系厂商华邦、晶豪科、钰创的主要市场，供给缩减也成为涨价的要素之一。
在需求不减反增，以及供给减少对报价的推波助澜下，以 TrendForce 的 DDR3 现货报价来看，自 11 月 30 日迄今，DDR3 4Gb 的现货报价已经大涨 14.5%，分析师也预估 DDR3 的涨幅甚至将超越 DDR4。而内存产业业内人士也透露，明年利基型 DRAM 将可能出现供不应求的状况，预估将使利基型产品持续走扬至 2021 年。
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